中島 務 | 日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
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概要
関連著者
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中島 務
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
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菊田 邦子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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Hayashi Yoshihiro
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
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Hayashi Yoshihiro
System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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松木 武雄
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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田辺 伸広
NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
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小林 壮太
NEC
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天沼 一志
NECシリコンシステム研究所
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前島 幸彦
NECシリコンシステム研究所
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宮坂 洋一
NEC基礎研究所
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國尾 武光
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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田辺 伸広
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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斉藤 忍
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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竹内 常雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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小林 壮太
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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前島 幸彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中島 務
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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天沼 一志
NEC基礎研究所
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長谷 卓
NEC基礎研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
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吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
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菊田 邦子
日本電気(株)
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中島 務
日本電気(株)
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林 喜宏
日本電気(株)
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隣 真一
日本電気(株)
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吉川 公麿
日本電気(株)
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菊田 邦子
ULSIデバイス開発研究所
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中島 務
マイクロエレクトロニクス研究所
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上野 和良
ULSIデバイス開発研究所
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吉川 公磨
ULSIデバイス開発研究所
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上野 和良
Necエレクトロニクス(株)
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隣 真一
Nec Ulsiデバイス開研
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隣 真一
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
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林 喜宏
日本電気(株)マイクロエレクトロ二クス研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
著作論文
- ビット線上に容量を配置した強誘電体メモリセル構造(F-COB)
- 0.1μm ULSI世代の超微細アルミニウム多層配線を実現するAl-CMP技術
- Alダマシンプロセスによる多層配線形成
- アルミリフロースパッタ埋め込みとCMPによる溝配線形成