久保田 大志 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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• NEC ULSIデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 久保田 大志

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岡澤 武

  NEC

• 村松 諭

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 北野 友久

  Necエレクトロニクス株式会社

• 北野 友久

  NEC Electronics Corporation

• 安藤 公一

  日本電気ulsiデバイス開発研究所

• 北野 友久

  日本電気(株)

• 堀川 貢弘

  日本電気(株)

• 渡辺 啓仁

  Nec 半導体生産技術本部 プロセス技術部

• 白井 浩樹

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 本間 一郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 小野 春彦

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所 LSI基礎研究部

• 岡澤 武

  NEC メモリ事業部 第2デバイス設計部

• 本間 一郎

  日本電気株式会社

• 久保田 大志

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 堀川 貢弘

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 白井 浩樹

  Necエレクトロニクス株式会社

• 久保田 大志

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 村松 諭

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 児玉 典昭

  日本電気(株)ULSIメモリ事業部

• 岡澤 武

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

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著作論文

• 256Mフラッシュメモリ用0.54μm^2 SAHF(Self-Aligned HSG Floating gate)セル
• フラッシュメモリ保持信頼性とフローティングゲート/トンネル酸化膜界面
• フラッシュメモリー過剰消去メカニズムの解析 : スケーリング則に対する新しい制約

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