フラッシュメモリ保持信頼性とフローティングゲート/トンネル酸化膜界面

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概要

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• フラッシュメモリ製造上の問題として、過剰消去、保持不良の問題が良く知られている。過剰消去は、フローティングゲート(FG)電極ボリシリコンのグレインサイズによって制御できることをこれまでに報告した。この論文では、保持特性に対して、PG/トンネル酸化膜界面に存在するリンが与える影響を電気的特性、SIMS,EDX分析から明らかにする。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-09-18

著者

• 安藤 公一

  日本電気ulsiデバイス開発研究所

• 久保田 大志

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 村松 諭

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 久保田 大志

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

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