伊藤 信和 | 日本電気株式会社先端デバイス開発本部

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概要

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• 日本電気株式会社先端デバイス開発本部の論文著者

関連著者

• 伊藤 信和

  日本電気株式会社先端デバイス開発本部

• 岸本 光司

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 松木 武雄

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 伊藤 信和

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 吉田 和由

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NEC日立メモリ(株)

• 大音 光市

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 山崎 進也

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)LSI製造本部

• 新村 俊樹

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)山形日本電気(株)

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 大音 光市

  Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 吉田 和由

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)nec日立メモリ(株)

• 新村 俊樹

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)山形日本電気(株)

• 藤井 邦宏

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 山崎 進也

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)lsi製造本部

• 松木 武雄

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 伊藤 信和

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 藤井 邦宏

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 吉田 和由

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 大音 光市

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 山崎 進也

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 新村 俊樹

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 伊藤 信和

  日本電気株式会社 誘導光電事業部

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 細井 信基

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 細井 信基

  日本電気株式会社先端デバイス開発本部

• 君塚 亮一

  荏原ユージライト(株)中央研究所

• 君塚 亮一

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 長井 瑞樹

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 奥山 修一

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 小林 健

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 有田 幸司

  日本電気株式会社先端デバイス開発本部

• 宮本 秀信

  日本電気株式会社先端デバイス開発本部

• 長井 瑞樹

  株式会社荏原製作所

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著作論文

• ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD-2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
• ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
• ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
• シード補強銅めっきを用いた銅配線埋設技術( : 低誘電率層間膜及び配線技術)

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