山本 豊二 | 日本電気(株)

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概要

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• 日本電気(株)の論文著者

関連著者

• 山本 豊二

  日本電気(株)

• 辰巳 徹

  日本電気(株)

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 小倉 卓

  日本電気(株)

• 斉藤 幸重

  日本電気(株)

• 上沢 謙一

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 斉藤 幸重

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 山本 豊二

  NEC、シリコンシステム研究所

• 上沢 謙一

  日本電気(株)

• 安彦 仁

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 吉田 和由

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 田村 貴央

  日本電気(株) ULSIデバイス開研究所

• 吉田 和由

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所

• 安彦 仁

  日本電気(株)

• 田村 貴央

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気(株)

• 山田 泰久

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 林 喜宏

  日本電気(株)マイクロエレクトロ二クス研究所

• 酒井 勲美

  NEC Corporation

• 山田 秦久

  Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 川口 宏

  日本電気(株)

• 斎藤 幸重

  日本電気(株)

• 徳永 賢一

  日本電気(株)

• 山田 泰久

  日本電気(株)

• 酒井 勲美

  日本電気(株)

• 上沢 兼一

  日本電気(株)

• 徳永 賢一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

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著作論文

• 溝側壁注入により逆狭チャネル効果を抑制した0.2μmSTI技術
• シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
• 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
• 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET

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