リモートプラズマCVD法による高品質SiO_2膜の低温形成とSi-MOSFETへの応用
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概要
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リモートプラズマCVD法によりSiO_2膜の低温堆積を行った。気相中の分子種を質量分析することにより、SiH_4は酸素活性種により分解され、生成された前駆体が基板表面で反応し、Si-Oのボンド形成を行うことが判明した。膜質及び絶縁膜, 半導体界面特性は基板温度300℃のものにおいて、1MV/cmでの抵抗率が5×10^16>Ω・cm、絶縁破壊電界強度が9.5MV/cm、最小界面準位密度が1×10^11>eV^-1>cm^-2>と良好な結果が得られた。低温堆積SiO_2膜をSi-MOSFETのゲート絶縁膜として応用した場合、電子、正孔の実効移動度はそれぞれ420,120cm^2/V・s(0.5MV/cmゲート電界印加時)という値が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
-
小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
-
小倉 卓
(株)genusion
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京大工
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
冬木 隆
京都大学工学部電気工学第二科
-
岡 徹
日立製作所
-
小倉 卓
京都大学工学部
-
藤森 敬和
京都大学工学部
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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