リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
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概要
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リモートプラズマ酸化法を用いてSi表面の直接酸化による極薄SiO_2膜を500〜680℃の低温で形成した。MOSキャパシタを作製し、電気的特性を評価した。680℃酸化膜では絶縁破壊電界強度が最高10MV/cmの特性を得た。また、quasi-static C-V法を用いて界面準位密度を評価した。酸化温度を上げることで膜質が改善されることが確認できた。このSiO_2膜をMOSFETのゲート絶縁膜に応用し、その動作特性を評価した。実効移動度の最大値は350cm^2/Vsであった。またgate-contlolled diodeとして特性を測定し、MOSFET作製プロセスを経た後の界面状態を評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-24
著者
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
孫 雲華
京都大学工学研究科 電子物性工学
-
飯田 倫之
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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