リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
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概要
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マイクロ波プラズマ中で励起された酸素活性種を利用することにより、450℃-550℃の低温でシリコン基板表面を直接酸化、MOSキャパシタを作製し、その電気的特性およびSi/SiO_2界面特性を電流電圧、容量電圧特性、コンダクタンス法により詳細に評価した。また、MOSFETのゲート絶縁膜に適用し、そのチャネル移動度やサブスレショルド特性の評価を行った結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-28
著者
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
飯田 倫之
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
-
金廣 正彦
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
金廣 正彦
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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