SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
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概要
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SiC半導体は,優れた物性を有する広禁制帯幅半導体として注目され,特に高耐圧・低損失パワーデバイスへの応用が強く期待されている.本論文では,SiC半導体の結晶成長技術,プロセス技術,及びデバイスの開発状況を概説する.SiCショットキーダイオードの製品化が開始され,次はスイッチング素子の実用化が望まれている.MOSFETのチャネル移動度改善の一方法について研究成果を紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-01
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