半導体シリコンカーバイド(SiC)の進展 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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基板が入手でき, 不純物添加による伝導性制御が容易なSiCは, ワイドギャップ半導体の電子デバイス応用の最右翼として進展が著しい。本論文では, 昇華法によるバルク単結晶製作の原理を述べた後, そこから得られた基板上に高品質6H-および4H-SiC成長層を得るのに適したステップ制御エピタキシャル成長について方法と特徴を紹介し, 成長層の優れた物性について述べる。高品質成長層を用いた最新のSiCデバイスについて, 高耐圧ダイオード, 高周波トランジスタ, 高耐圧パワートランジスタ, サイリスタなどパワーデバイス, 高温動作デバイスなど, 応用の可能性として提言されているデバイスの状況を紹介する。筆者らが研究してきた4H-SiCの高耐圧, 高速ショットキーダイオードの設計指針とその試作結果を論じて高性能さを紹介する。
- 1998-01-25
著者
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