プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
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概要
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リモートプラズマ酸化法を用いたsi表面の直接酸化により500〜650℃の低温でSiO_2膜を形成した.MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)キャパシタを作製して,電気的特性を評価した.650℃で形成したプラズマ酸化膜では絶縁破壊電界強度が11MV/cmを越える特性を得た.抵抗率は10^16Ωcm台で,FN(Fowler-Nordheim)プロットから求めたバリアハイトは3.22eVであった.また,quasi-static容量(C)-電圧(V)法を用いて界面準位密度を評価した。酸化温度を上げることで膜質が改善されることが確認できた.この酸化膜をMOSFET(MOS Field Effect Transistor)のゲート絶縁膜に応用し,その動作特性を評価した.実効移動度の最大値は739cm^2/Vsであった.またgate-controlled diodeとして特性を測定し、MOSFET作製プロセスを経た後の界面状態を評価した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-13
著者
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
孫 雲華
京都大学工学研究科 電子物性工学
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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