松波 弘之 | 京大工
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概要
関連著者
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松波 弘之
京大工
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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田中 哲郎
京大工
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松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
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松波 弘之
京都大学工学部
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松波 弘之
京都大学工学研究科
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
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西野 茂弘
京都工繊大学
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森泉 和也
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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冬木 隆
京都大学工学部電気工学第二科
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植田 康之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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田中 哲郎
京大・工
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松波 弘之
京大・工
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西野 茂弘
京大・工
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二山 拓也
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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岩見 基弘
京大工
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西原 美一
京大工
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木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
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冬木 隆
国立奈良先端科学技術大学院大学
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学研究科
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石田 誠
京大工
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芝原 健太郎
京大工
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佐原 隆介
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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小池 貴夫
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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平井 正明
岡山大理
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日下 征彦
岡山大理
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岩見 基弘
岡山大理
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中村 初夫
大阪電通大
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小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
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小倉 卓
(株)genusion
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David MULATI
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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Mulati D
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
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西野 茂弘
京大工
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小池 貴夫
京都大学工学部
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小倉 卓
京都大学工学部
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中村 初夫
大阪電通大工
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黒部 憲一
京都大学工学研究科
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越川 孝範
大阪電通大
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平井 正明
岡山大学自然科学研究科
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日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
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山田 安定
東大物性研
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山田 安定
阪大基礎工
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石橋 善弘
名大工
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畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
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中村 和広
関西大学工学部
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更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部
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安井 俊之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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木村 勝高
京大工
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西野 茂弘
京都工繊大
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Mulati David
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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黒部 立郎
京都大学大学院工学研究科
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鈴木 洋
京大工
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吉信 達夫
京都大学工学部電気工学第二教室
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岡 徹
日立製作所
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山本 俊郎
住友金属工業
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池田 光志
京大・工
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黒部 憲一
京都大学大学院工学研究科
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中村 和広
関西大学工学部電子工学科
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宮元 崇行
京大工
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芝原 健太郎
京都大学工学部電気工学第二教室
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鈴木 彰
京都大学工学部
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学地域共同研究センタｰ
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三谷 清
京大・工
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鈴木 彰
京大工
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枝松 寿一
京大・工
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山本 俊郎
京大・工
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鈴木 彰
京大・工
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南野 茂弘
京大工
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上原 美樹
京大工
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黒部 立郎
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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河 相勲
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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渡部 康弘
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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伊藤 満作
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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藤森 敬和
京都大学工学部
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松波 弘之
京都大学電子物性工学教室
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松波 弘之
京都大学 工学研究科
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吉本 昌宏
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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田中 哲郎
京都大学工学部
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学
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更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
更家 淳司
京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科
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二山 拓也
京都大学 工学研究科
-
森泉 和也
京都大学 工学研究科
-
二山 拓也
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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村中 誠志
京都大学工学部
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冬木 隆
京都大学・工学研究科・電子物性工学
-
畑山 智亮
京都大学・工学研究科・電子物性工学
-
松波 弘之
京都大学・工学研究科・電子物性工学
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小原 天
京都大学工学部
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吉田 博康
京都大学工学部
-
芝原 健太郎
京都大学工学部
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松波 弘之
京都大学電気工学教室
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学大学院 電子システム工学部門
著作論文
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- 光-CVD膜の電子材料への応用 (光による薄膜電子材料の製造と光エネルギ-の変換材料)
- 第6回強誘電体国際会議
- PLZT薄膜のエピタキシャル成長 : エピタキシー(VPE)
- プラズマ暖用CVDによって成長した太陽電池用単結晶シリコン薄膜の電気的特性
- 電子ビーム蒸着法によるPZT薄膜の作成 : 気相成長
- RFスパッタリングによるPLZT薄膜の作成
- 29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
- Si基板上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
- ガスソース分子線を用いたシリコンカーバイド単結晶成長の原子層制御
- p-CdSbの不純物伝導領域における電流磁気効果 : 半導体 (下純物)
- 化合物半導体CdSbのデンドライト : 結晶成長
- 14a-K-8 CdSbの負の磁気抵抗
- 5a-G-3 p-CdSbの低温における電気的性質の異方性
- SiCおよび関連材料国際会議報告
- SiC および関連ワイドギヤップ半導体研究会
- SiC熱酸化膜のオ-ジェ電子分光分析
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー(VPE)
- 6H-SiCの気相成長 : エピタキシー(VPE)
- SiCの熱酸化 : 欠陥
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- ディップ法による6H-SiCの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- CVD法によるα-SiCのエピタキシャル成長
- β-SiCの気相成長
- SiCの気相成長 : エピタクシー
- 12a-H-8 p-CdSbの極低温における高電界効果
- Cd_3As_2の電気的性質 : 半導体(化合物・音波)
- 5a-G-5 Cd_3As_2のホール効果
- 3p-G-5 化合物半導体Cd_3As_2単結晶作成とその性質
- II-V化合物半導体Cd_3As_2の結晶成長 : 半導体 : 結晶成長
- 有機金属分子線エピタキシャル法による可視発光半導体GaAsPのSi基板上成長(平成9年度第3回)関西支部研究例会の講演要旨
- TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構
- リモートプラズマCVD法による高品質SiO_2膜の低温形成とSi-MOSFETへの応用
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 青色発光ダイオ-ドの動向 (オプト・エレクトロニック素子)
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過渡放電電流法による膜内電子トラップの解析
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過度放電電流法による膜内電子トラップの解析
- 酸素励起活性種を用いた高品質SiO_2膜の低温形成
- 酸素活性種を用いた高品質極薄SiO_2膜の形成とMOSFETへの応用(関西支部研究例会の講演要旨(平成9年度第1回))
- MOSデバイス用極薄SiO_2膜の低温形成
- 酸素活性種によるシリコン極薄ゲート酸化膜の低温形成とMOSFETへの応用
- ECRリモートプラズマ法を用いた極薄SiO_2膜の低温形成
- Si基板上にヘテロエピタキシャル成長したGaP層のひずみ評価
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- 7p-YH-1 3C-SiC/Siヘテロエピタキシー界面構造の原子層レベル制御
- プラズマCVD法によって堆積した太陽電池用Si薄膜の不純物ドーピング特性
- 「励起状態活用によるシリコンヘテロ界海面制御 : 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の形成」
- CVD法による薄膜結晶Siの堆積における核発生制御
- ステップ制御エピタキシ-によるSiCの単結晶成長
- シリコンカーバイド (SiC) 単結晶成長とその応用
- InP系材料の物性とデバイス
- 太陽電池の接合構造における問題点 (自然エネルギ-利用と応用物理特集号) -- (太陽光発電)
- EBICを用いた位相差法による少数キャリヤのライフタイムと拡散定数の測定
- SiC熱酸化膜のオージェ電子分光分析
- 2p-K3-4 高速イオン散乱法によるSiC-Si表面層・界面構造(表面・界面)