石橋 善弘 | 名大工
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概要
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石橋 善弘
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松重 和美
Dep. Of Electronic Sci. And Engineering Kyoto Univ. Katsura Nishikyo Kyoto 615-8510 Japaninnovative
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日立中研
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石橋 善弘
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名大院工
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ニューヨーク市大
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橋本 孝之
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Cummins H.z.
New York市立大
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阪女大基礎理
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九大・工
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三和 幸彦
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米田 智也
名大工
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山田 直
名大工
著作論文
- 2a-KN-7 BaZnGeO_4の逐次相転移
- 27p-YD-6 (CH_3NH_3)_5Bi_2X_11(X:Cl, Br)結晶における強誘電性相転移と^N-CP/MAS NMRスペクトル
- 28a-YS-7 (CH_3NH_3)_5Bi_2Cl_結晶におけるメチルアンモニウムイオンのダイナミクス
- 5p-F-15 インコメンシュレート変調の振幅と波数の緩和
- 28a-WF-1 高速ビデオカメラによる液晶の配向ゆらぎの直接観測
- 動的画像処理法を用いた液晶の電気流体力学的対流パターンの解析
- 29a-PS-8 液晶の電気流体力学的不安定性における2つの対流系の間の相互作用I
- 27p-BPS-23 ウィリアムズ・ドメインの振動の観察
- 3a-C-12 Ca_2Sr(C_2H_5CO_2)_6のBrillouin scattering II
- 5a-Y-4 CsCl単結晶の光スペクトルII 2次ラマン散乱
- 5a-Y-3 CsClの光スペクトル(I) 遠赤外反射スペクトル
- 28a-YG-7 反強誘電性液晶MHPOBC中のスピンプローブのESR II
- 3a-H-3 反強誘電性液晶MHPOBC中のスピンプローブのESR
- 1C13 反強誘電性液晶のスイッチングシミュレーション
- 5a-K-1 反強誘電性液晶におけるレイヤー・スイッチング
- 2K101 反強誘電性液晶 TFMHPOBC
- 30p-L-12 反強誘電性液晶の誘電分散
- 3A23 三安定性強誘電性液晶の電場応答
- 3A19 第3の状態を示す強誘電性液晶の相転移
- 7a-N-13 K_2SeO_4のRaman散乱
- 7a-N-12 K_2SO_4及びK_2SeO_4の双晶構造の構造
- 30a-F-13 AgI-BaTiO_3系における絶縁体微粒子分散効果
- 4p-M-7 AgIにおけるTiO_2微粒子の分散効果
- 30p-P-5 AgI-TiO_2系およびAgI-BaTiO_3系のイオン伝導
- 5a-YF-2 電場印加時のTGSb面におけるドメイン構造変化のAFM観察
- 第4回日ソ強誘電体シンポジウム
- 第6回強誘電体国際会議
- 第5回強誘電体国際会議IMF-5
- 第4回強誘電体国際会議
- 第3回強誘電体国際会議報告
- 2a-KN-4 LaNbO_4の光散乱
- 29a-W-11 LaNbO_4のブリルアン散乱
- 3p-SC-4 LaNbO_4のブリルアン散乱
- 31a-M-7 強誘電体(CH_3NH_3)_3X_2Br_9(X=Bi, Sb)の結晶構造
- 28p-ZE-14 一次元超イオン導電体KTiOPO_4(KTP)の電気的特性
- 2A11 強誘電性液晶MHPOBCの相転移
- 6a-L-1 反強誘電性液晶MHPOBCの層構造と誘電特性
- 3p-X-2 反強誘電性液晶 TFMHPOBC
- 3p-X-1 反強誘電性液晶MHPOBCの誘電分散
- 2連F04 強誘電性液晶のドメインの動的挙動の解析
- 2連F03 負の誘電異方性をもつ強誘電性液晶のスイッチング異常
- 5a-YF-12 (CH_3NH_3)_5Bi_2Cl_(MAPCB)、(CH_3NH_3)_5Bi_2Bi_(MABB)の相転移に対する圧力効果
- 2p-YM-6 (CH_3NH_3)_3M_2Br_9(M:Sb,Bi)誘電体の光学特性
- 2a-YD-5 (CH_3NH_3)_3Bi_Sb_Br_9混晶の相転移
- 27a-M-11 BaB_2O_4 (BBO)の誘電性及び光学特性
- 2p-B-12 BaB_2O_4のラマン散乱
- 2a-B-6 K_2Ba(NO_2)_4の低温相の構造
- 1p-UB-8 中性子回折によるLi_2Ge_7O_(LGO)の構造変化
- 2F611 X線回折法を用いた反強誘電性液晶における構造の研究
- 30a-SC-10 SnCl_2・2H_2Oの誘電緩和
- 5a-YF-8 KSP, KTP混晶の構造相転移
- 4a-AA-5 Na_2CO_3の熱膨張
- 1a-BD-13 CsPbCl_3 系の現象論
- 31p-BD-3 DBPの相転移
- 31p-BD-2 DSPにおける音速分散 II
- 11p-N-7 Incommensurate相における格子振動
- 11a-N-4 硫安系物質のRaman散乱
- 9a-N-1 A^+B^Cl_3系の相転移
- 6a-J-7 DSPのII相における弾性的性質
- 6a-J-6 DSP・DLPにおけるTwo Sublattiicce Model
- 4p-J-11 RbLiSO_4の圧力効果
- 7a-K-6 CsPbCl_3系の相関係
- 7p-P-3 格子振動と双極子相互作用 : BaTiO_3格子振動
- 3p-KB-9 NaNO_2の光弾性定数
- 1a-J-6 K_2SeO_4におけるソフト振幅モードの応力依存性
- 12p-J-13 Sn_2P_2S_6の強誘電相転移
- 1p-A-3 KSnOPO_4(KSP) 単結晶の電気的特性
- 26a-ZC-5 Sn_2P_2S_6のラマン散乱
- 30a-P-6 一次元超イオン導電体KTiOPO_4(KTP)のラマン散乱
- 6p-X-2 Li_2B_4O_7のラマン散乱と誘電特性
- 28a-W-13 Cholesteryl 2, 2, 3, 3-Tetrafluoropropionate のINC相転移とラマン散乱スペクトル
- 12a-K-9 DSP及びDLPのラマン散乱
- 2p-KN-13 SiO_2のINC相転移近傍での誘電率と熱膨張
- 14a-H-6 (NH_4)_2SnCl_6系の相転移
- 14a-H-2 NaN_3の相転移に於けるランダウ条件の妥当性
- 27p-W-4 (NH)_4SnBr_6の相転移
- 27a-W-3 BaTiO_3の分極反転におけるゆらぎ
- 31a-Pα-5 CuTeBrの相転移
- 4a-NE-11 RbAg_4I_5の相転移の現象論
- 30a-H-4 5PbO・2P_2O_5の強誘電的相転移
- 1a-H-8 Pb_3(VO_4)_2の相転移
- 27a-W-6 Pb_3(VO_4)_2系の圧力効果
- 27a-W-5 Pb_3(VO_4)_2の相転移と強誘電性
- 3a-C-5 KMgCL_3の相転移
- 3a GG-11 RbCaCl_3のラマン散乱
- 4a-AA-1 DBPの相転移II
- 14p-Q-5 チオ尿素-尿素混晶の誘電的性質 II
- 5a-H-3 チオ尿素-尿素混晶の誘電的性質
- 3C10 反強誘電性液晶における非線型誘電率及び電気光学効果 II
- H.M.Schlicke: Essentials of Dielectromagnetic Engineering (John Wiley & Sons, Inc.. 1961) 242頁, \3800.
- 磁性体薄膜の記憶装置への応用
- A.J.Meyerhoff他編: Digital Application of Magnetic Devices. John Wiley & Sons, Inc. New York. London, 1960, 604頁, 15×23cm, 5,600円.
- 9a-K-2 一次元転位モデルとそれによるくい違いのエネルギーの計算
- 28p-A-3 KBr_(NO_2)_xの混晶の誘電分散II
- 26a-A-2 リラクサー(1-x)Pb(Mg_W_)O_3-xPbTiO_3の誘電特性
- 30p-YD-10 リラクサー(1-x)Pb(Mg_W_)O_3-xPbTiO_3の非線型誘電率
- 1AD08 高速ビデオカメラによる液晶の配向ゆらぎの直接観測
- 7p-G-6 強誘電性イオン導電体L_2B_4O_7の非線形導電率
- 7a-F-2 砒素ーリン酸ベタイン混晶の非線型誘電率
- 5a-F-13 強誘電体微粉末圧粉体の相転移
- 31a-B-11 誘電体結晶における非線型誘電率
- 1a-J-10 {N(CH_3)_4}_2MnCl_4の逐次相転移
- 5p-X-11 層状ペロブスカイト型化合物(C_3H_7NH_3)_2MnCl_4(PAMC)のラマン散乱
- 5p-U-11 DSP-DLP系の熱膨張
- 13a-U-12 ARS:Cr^のESR線の圧力効果
- 31a-B-7 Pb(IN_Nb_)O_3の誘電特性(P-E履歴曲線)
- 31a-R-11 RDP-ADP混晶における非線型誘電率
- 27p-YD-7 砒酸ベタインの非線型誘電率
- 28a-YK-8 RDP-ADP混晶のグラス転移における非線型誘電率の発散
- 6p-K-7 DLP単結晶の弾性
- 14a-U-5 Ca_2Sr(C_2H_5CO_2)_6の超音波吸収
- 5p-KB-5 Ca_2B_2(C_2H_5CO_2)_6弾性率
- 24a-P-10 Ca_2Sr(C_2H_5CO_2)_6の光学非線形性 1
- 3a-L-2 Ca_2Sr(C_2H_5CO_2)_6の音速
- 7a-C-7 蟻酸銅の超音波吸収、弾性率
- 反強誘電体蟻酸銅の非線型誘電率
- 31a-B-10 KBr_(NO_2)_x混晶の誘電分散
- 3B09 反強誘電性液晶におけるゴールドストーンモードのダイナミクス
- 11p-N-8 Incommensurate-Commensurate転移の理論
- BaTiO_3の強誘電性とイオンの変位 : 誘電体
- dipole modelによるBaTiO_3の理論 : 誘電体
- 29p-W-6 {N(CH_3)_4}_2ZnCl_4の超音波測定
- 25p-ZC-8 強誘電体のD-E履歴曲線 II : 実験
- 4p-S4-12 液晶HS927SOとDOBAMBCのESR
- 2a GG-1 LaNbO_4の強弾性相転移とラマン散乱
- 6a-G-11 WO_3型結晶の強誘電性及び反強誘電性
- 6a-G-10 WO_3の複屈折の理論 II
- 11a-F-8 WO_3の複屈折の理論
- 電子計算機によるexactな計算の新方法 : modulo p 演算の応用
- Gd2 (MoO4) 3の相転移
- 5a-NB-4 BiVO_4のブリルアン散乱
- 5a-NB-3 シーライト型結晶(LaNbO_4,BiVO_4)の強弾性相転移
- 29a-YK-4 (CH_3NH_3)_5Bi_2Br_の低温相転移と比熱異常
- 15a-J-11 (CH_3NH_3)_5Bi_2Cl_の低温熱容量
- 6p-N-3 CsSrCl_3の圧力効果の現象論
- CsSrCl_3単結晶の育成
- 10p-K-13 CsSrCl_3の熱膨張
- 6p-KG-2 CsCLの高圧下における育成
- 1p-T-7 PbCsCl_3の誘電特性
- 6a-C-13 KNO_3の圧力効果
- KNO_3の電気的性質 : 誘電体
- 1p-F-2 TGSの分極軸の検討
- 4a-H-1 KNO_3の相転移
- 28p-YK-6 C_nH_NH_3H_2PO_4系結晶の相転移
- 4p-N-10 間接型強誘電体の分域構造
- 11a-R-1 合金Cd_3Mgの音速
- 5a-KB-11 (HN_4)_2SO_4-K_2SO_4混晶系の相転移
- 11p-P-6 ADPの相転移理論
- 31a-J-6 Li_Ge_7O_の相転移
- 2a-T-12 (NH_4)_2SO_4-K_2SO_4系の誘電的性質(I)
- 8p-G-7 KDPの相転移の次数
- Na_2S_2O_3・5H_2O(ハイポ)の誘電分散(II) : 誘電体
- 1p-F-11 Na_2S_2O_3・5H_2Oの誘電分散
- 5p-YF-2 過冷却液体の非線形誘電スペクトロスコピー
- 27a-M-8 ディスクリネーションポイントの対消滅過程におけるダイナミクス
- 26p-H-14 液晶のディスクリネーションの運動の観察II
- 4a-P-9 液晶のディスクリネーションの運動の観察
- 4a-H-4 K_2SeO_4の位相モード
- 29a-W-6 K_2SeO_4のIncommensurate相でのphaseモードのラマン散乱
- 29a-PS-16 ディスクリネーションポイントの対消滅過程におけるダイナミクスII
- 18pPSA-64 BaTiO_3のエンジニアードドメイン構造形成過程の観察(18pPSA 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 29a-Q-4 ペロブスカイト酸化物混晶の濃度相境界における弾性異常
- 27pXZB-4 BaTiO_3のエンジニアードドメイン構造形成過程の観察II(27pXZB 誘電体(ペロフスカイト,量子常誘電性,ナノ粒子,光効果),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26aPS-125 Pb(Mg_Nb_)O_3-29.5%PbTiO_3の温度電場相図(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 30a-JE-1 フラクタルな一次元界面の運動(統計力学・物性基礎論)
- 25pPSA-20 Pb(Mg_Nb_)O_3-11%PbTiO_3の相転移(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pPSA-19 Pb(Zn_Nb_)O_3-6%PbTiO_3の温度電場相図(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 29p-S-6 (C_3H_7NH_3)_2MnCl_4のインコメンシュレート相に於ける双晶の観察(29pS 誘電体)
- 27p-JA-4 誘電体・液晶の変調構造(液晶の強誘電性と構造相転移,誘電体,分子結晶・液晶・有機半導体合同シンポジウム)
- 31a-A2-9 BaZnGeO_4の強誘電性と逐次相転移(31a A2 誘電体,誘電体)
- 28p-S-5 副格子模型におけるT_cのシフト(28pS 誘電体)