安田 直彦 | 岐阜大工

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概要

• 同名の論文著者
• 岐阜大工の論文著者

関連著者

• 安田 直彦

  岐阜大工

• 大和 英弘

  岐阜大工

• Yasuda Naoki

  Advanced Tech. R/d Center Mitsubishi Electric Co. Ltd.

• Yasuda Naoki

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• Ishibashi Y

  九州大

• 折原 宏

  名大・理工総研

• 岩田 真

  名大院工

• Ohwa Hidehiro

  Electronic And Information Engineering Department Gifu University

• Orihara Hiroshi

  Applied Physics Department Graduate School Of Engineering Nagoya University

• 石橋 善弘

  愛知淑徳大

• 岩田 真

  名工大

• Iwata Makoto

  Department Of Applied Physics School Of Engineering Nagoya University

• 寺内 暉

  関学大理工

• 岩田 真

  名工大院工

• Itoh Masakazu

  Department Of Energy Engineering And Science Nagoya University

• YASUDA Naohiko

  Electrical and Electronic Engineering Department, Gifu University

• Iwata M

  Meiji Seika Kaisha Ltd. Yokohama Jpn

• Orihara Hiroshi

  Synthetic Crystal Research Laboratory Faculty Of Engineering Nagoya University

• 折原 宏

  Hokkaido Univ. Sapporo

• OHWA Hidehiro

  Electrical and Electronic Engineering Department, Gifu University

• IWATA Makoto

  Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya

• 寺内 暉

  関西学院大

• Orihara Hiroshi

  Nippon Soken Inc.

• Ishibashi Yoshihiro

  Faculty Of Business Aichi Shukutoku University

• 清水 宏晏

  岐阜大工

• TANIGUCHI Kenji

  Department of Cancer Research, Fuji Gotemba Research Laboratories, Chugai and Pharmaceutical Co

• Taniguchi K

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• Hamaguchi C

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Hamaguchi Chihiro

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• Hamaguchi Chihiro

  Deparimsnt Of Elecironics Facully Of Engineering Osaka University

• 前田 雅輝

  名工大

• ISHIBASHI Yoshihiro

  Department of Applied Physics, School of Engineering, Nagoya University

• 寺内 暉

  関西学院大・理

• 前田 雅輝

  名工大・工

• 山下 洋八

  東芝

• 鈴木 〓雄

  名工大

• OHWA Hidehiro

  Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Gifu University

• YASUDA Naohiko

  Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Gifu University

• Yoshida Yoichi

  The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University

• Yamada Yasusada

  Advanced Research Institute Waseda University:advanced Science Research Center Japan Atomic Energy R

• Yamashita Y

  Power Supply Materials And Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Yamashita Yohachi

  Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Yamashita Yohachi

  Toshiba Materials & Devices Research Laboratories

• 岩田 真

  名大工

• 折原 宏

  北大院工

• 折原 宏

  名大工

• TERAUCHI Hikaru

  Advanced Research Center of Science, School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University

• NOMURA Kazushige

  Department of physics,Tokyo Metropolitan University

• ISHIBASHI Yoshihiro

  Faculty of Business, Aichi Shukutoku University

• Ishibashi Yoshihiro

  Synthetic Crystal Research Laboratory School Of Engineering Nagoya University

• 大和田 謙二

  原子力機構

• 大和田 謙二

  原子力機構:crest

• 藤田 一彦

  岐阜高専

• Rahman Md.M.

  岐阜大工

• 折原 宏

  名大院工

• 野村 健二

  関学大理

• 安田 直彦

  岐阜大学

• ORIHARA Hiroshi

  Applied Physics Department, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• 青柳 倫太郎

  名工大

• 石橋 善弘

  名大工

• 沢田 正三

  中部工大

• 石舘 健男

  静大理

• 石橋 善弘

  九州大

• MAEDA Masaki

  Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya

• Quazi Deen

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• YAMASHITA Yohachi

  Power Supply Materials and Devices Research Laboratories, Research and Development Center, Toshiba C

• SUZUKI Ikuo

  Department of Electronics,Nagoya Institute of Technology

• YAMASHITA Yohachi

  Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• IWATA Makoto

  Applied Physics Department, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• Hosono Y

  Toshiba Corp. Kawasaki Jpn

• Hosono Yasuharu

  Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Hosono Yasuharu

  Power Supply Materials And Devices Laboratories Research And Development Center Toshiba Corporation

• Yamashita Yohachi

  Power Supply Materials And Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Yamashita Yohachi

  Corporate R&d Center Toshiba Corp.

• 廣田 和馬

  阪大理

• 福田 竜生

  原子力機構放射光

• 水木 純一郎

  原子力機構放射光

• 筒井 智嗣

  JASRI

• Baron Alfred

  JASRI

• Baron A.

  JASRI

• Baron A.

  理研播磨研:trip(jst):spring-8 Jasri

• Baron A.

  Jasri Spring-8:理研 Spring-8

• Baron Alfred

  理研

• 廣田 和馬

  東大物性研

• 福田 竜夫

  原子力機構放射光

• 高橋 功

  関学大理工

• NAKAMURA Hiroshi

  Department of Analytical Chemistry, Faculty of Pharmaceutical Sciences, Science University of Tokyo

• 松下 三芳

  Jfeミネラル:crest

• 水木 純一郎

  原子力機構放射光:trip(jst)

• 水木 純一郎

  原子力機構

• Baron A

  JAERI

• 広田 和馬

  大阪大理

• Baron A

  Jasri Spring-8:理研 Spring-8

• 前田 雅輝

  名工大工

• 岩田 真

  名工大工

• 鈴木 里司

  岐阜大工

• 松下 三芳

  川鉄工業

• 高橋 功

  関学大理ハイテク・リサーチ・センター

• 福田 竜生

  原子力機構放射光:理研播磨研:trip(jst)

• 森下 拓磨

  名工大

• Ishii T

  Idemitsu Material Co. Ltd. Chiba Jpn

• Maple M

  Univ. California California Usa

• 鬘谷 浩平

  名工大

• 鬘谷 浩平

  名工大工

• 鈴木 〓雄

  名工大工

• Maeda M

  Department Of Engineering Physics Electronics And Mechanics Graduate School Of Engineering Nagoya In

• 水木 純一郎

  日本原子力研究開発機構放射光科学研究ユニット

• 水木 純一郎

  原子力機構・放射光科学研究ユニット

• SUGIMOTO Nobuo

  National Institute for Environmental Studies

• 川辺 和夫

  阪大工

• Matsui I

  National Inst. Environmental Studies Tsukuba Jpn

• Matsui Ichiro

  Department Of Child Ecology National Children's Medical Research Center

• Matsui Ichiro

  National Institute For Environment Studies

• Ishii T

  Kyoto Univ. Kyoto Jpn

• ITOH Yuuki

  Electrical and Electronic Engineering Department, Gifu University

• KUME Motoyuki

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Gifu University

• HOSONO Yasuharu

  Power Supply Materials and Device Laboratory Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• Ishii T

  Tokyo Univ. Agriculture And Technol. Tokyo Jpn

• 山口 俊久

  明星大理工

• 森 茂生

  大阪府立大学大学院工学研究科

• 森 茂生

  阪府大工

• 吉野 勝美

  阪大院工

• 山口 貴之

  埼玉大理

• 森 茂生

  阪府大院工

• 中尾 健次

  東芝モバイルディスプレイ株式会社 デバイス開発センター

• 犬石 嘉雄

  阪大・工

• SUZUKI Sadafumi

  Department of Physiology, Keio University School of Medicine

• OHWADA Kenji

  Synchrotron Radiation Research Unit, Japan Atomic Energy Agency

• 尾崎 雅則

  阪大・工

• 吉野 勝美

  阪大・工

• 広田 和馬

  東北大理

• 高重 正明

  物性研

• 森 茂生

  大阪府立大院工学

• 緑川 道夫

  名大工

• 久留島 康輔

  東レリサーチセンター

• 小林 敬介

  東北大院理

• HASEGAWA Daisuke

  Department of Pediatrics, St. Luke's International Hospital

• Syamsudin M

  Kompleks Puspiptek Serpong Tangerang Idn

• Syamsudin Muharyan

  Research & Development Center For Calibration Instrumentation & Metrology Indonesian Institu

• 折原 宏

  名大・工

• 石橋 善弘

  名大・工

• 舘 義仁

  JFEミネラル(株)技術研究所

• 大塚 昌太

  岐阜大工

• 橋本 慎司

  岐阜大工

• Rahman Md.

  岐阜大工

• 犬石 嘉雄

  阪大 工

• 清水 安晏

  岐阜大工

• 高木 豊

  名大工

• ORIHARA Hiroshi

  Department of Applied Physics, Hokkaido University

• 趙 成華

  名工大

• Maeda M

  Graduate School Of Information Science And Electrical Engineering Kyushu University

• 前田 三男

  久留米高等専門学校

• 前田 三男

  九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門

• 黒田 敬太

  名工大工

• 長谷川 祐介

  名工大工

• 立崎 真輔

  名工大工

• Hlinka J.

  チェコ物理研

• Ohwada Kenji

  Synchrotron Radiation Research Center (spring-8) Quantum Beam Science Directorate Japan Atomic Energ

• 高橋 菜津美

  岐阜大工

• ARAI Norio

  Research Center for Advanced Energy Conversion, Nagoya University

• UENO Shuichi

  Department of Communication and Integrated Systems, Tokyo Institute of Technology

• HIROTA Kazuma

  Neutron Science Laboratory, Institute for Solid State Physics, University of Tokyo

• Czapla Z

  University Of Wroclaw

• Hlinka J.

  チェコ物理学研究所

• Hlinka Jiri

  Institute Of Physics As Cr

• Hidayat Ii

  インドネシア科学院kim-lipi

• Ohwada Kenji

  Synchrotron Radiation Research Unit Quantum Beam Science Directorate Japan Atomic Energy Agency:cres

• 水木 純一

  原子力機構放射光

• Toriumi Akira

  Ulsi Research Laboratories Toshiba Corporation

• Toriumi Akira

  Ulsi Research Center Toshiba Corporation

• 水木 純一郎

  日本原子力研究所関西研究所

• Mori S

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo

• 廣田 和篤

  東大物性研

• 山口 貴之

  岐阜大工

• MATSUI Ichiro

  National Institute for Environmental Studies

• 城石 芳博

  日立中研

• Hirota K

  Department Of Physics Tohoku University

• Hirota Kazuma

  Neutron Science Laboratory Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo

• Hamamoto K

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• 岡田 健吉

  名工大

• 岩田 真

  名大・工

• ARAKI Takashi

  Department of Botany, Graduate School of Science, Kyoto University

• 阪野 智一

  岐阜大工

• MATUSHITA Mituyoshi

  Kawatetu Mining Co., Ltd.

• SAKAGUCHI Masahiro

  Electrical and Electronic Engineering Department, Gifu University

• MORI Noriaki

  Department of Electrical & Electronic Engineering, Gifu University

• HOSONO Yasuharu

  Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• IWATA Makoto

  Deportment of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology

• TOMISATO Nobuaki

  Applied Physics Department, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• TANAKA Nobuo

  Applied Physics Department, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• ISHINO Shinnichirou

  Advanced Research Center of Science, School of Science, Kwansei-Gakuin University

• 片桐 真史

  名大院工

• MATSUDA M.

  Institute for Solid State Physics, University of Tokyo

• YAMAGUCHI Yasuo

  LSI Research and Development Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• NISHIMURA Tadashi

  LSI Research and Development Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• Yamaguchi Y

  Inst. Fundamental Chemistry Kyoto Jpn

• HASHIMOTO Kazuhiko

  Semiconductor Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation

• Arai Norio

  Research Center For Advanced Energy Conversion Nagoya University

• Tomisato Nobuaki

  Applied Physics Department Graduate School Of Engineering Nagoya University

• Hosono Yasuharu

  Corporate R&d Center Toshiba Corp.

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著作論文

• 20pHS-12 Ordered-Pb(In_Nb_)O_3のX線非弾性散乱実験(20pHS 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 19pxA-10 リラクサ-Pb(In_Nb_)O_3のフォノン観測(誘電体(リラクサー),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20pHS-7 ブリジマン法で作製されたBi-O格子欠陥によるrandom fieldに基づくリラクサ固溶体Na_Bi_TiO_3-BaTiO_3単結晶の圧電特性(20pHS 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aYJ-12 リラクサ強誘電体固溶体NBTBTに於ける格子欠陥に基ずく誘電・圧電特性(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30aRF-5 リラクサ強誘電体固溶体の圧電応答に於けるナノツインドメインの電界誘起分極反転(30aRF 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23pYE-6 MPB近傍でのリラクサ強誘電体固溶体PMNTの圧電・誘電応答に及ぼす圧力誘起自由エネルギ変化の影響(誘電体(リラクサー関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19pXA-8 MPB近傍のリラクサ強誘電体固溶体の圧電応答への外力の効果(誘電体(リラクサー),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aTE-3 (1-x)Pb(In_Nb_)O_3-xPbTiO_3混晶の相転移(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aTE-7 リラクサ強誘電体固溶体の圧電特性に於ける品質係数Qからのドメインスイッチング(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aXA-2 Bi_4Ti_3O_の分極反転II(誘電体(ペロブスカイト),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pZD-5 Bi_4Ti_3O_の分極反転(23pZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aXK-3 AFMによるPZN-PT混晶のドメインウォール観察(誘電体)(領域10)
• 30pXJ-3 AFM によるリラクサー Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3 混晶のドメイン観察
• 23pWY-11 リラクサ強誘電体固溶体NBTBTでのドメイン構造と誘電特性(23pWY マルチフェロイック・リラクサー,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• Spatial Distribution of the B-site Inhomogeneity in an as-grown Pb(In_Nb_)O_3 Single Crystal Studied by a Complementary Use of X-ray and Neutron Scatterings(Condensed Matter : Structure, Mechanical and Thermal Properties)
• 15p-J-10 反強誘電体リン酸ベタインにおける電界誘起強誘電相転移に伴う誘電分散(II)
• 28aXD-9 リラクサ強誘電体固溶体PZNT,PMNTの圧電特性への圧力効果(28aXD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aXD-12 Pb(In_Nb_)O_3のX線・中性子散乱(28aXD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• Pressure Dependence of Piezoelectric Properties of Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3 Binary System Single Crystal near a Morphotropic Phase Boundary
• Effect-of Electric Fields on Domain Structure and Dielectric Properties of Pb(ln_Nb_)0_3-PbTi0_3 near Morphotropic Phase Boundary
• Crystal Growth and Some Properties of Lead Indium Niobate-Lead Titanate Single Crystals Produced by Solution Bridgman Method
• Domain Observation in Pb[(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3 Mixed Crystals
• Raman Scattering in (1-x)Pb(Mg_Nb_)O_3-xPbTiO_3
• Raman Scattering In (1 - X)Pb(Zn_Nb_)O_PbTiO_3 Mixed Crystal System II
• Crystal Growth and Dielectric Properties of Solid Solutions of Pb(Yb_Nb_)O_3-PbTiO_3 with a High Curie Temperature near a Morphotropic Phase Boundary
• 19aWE-10 リラクサ強誘電体Pb(In_Nb_)O_3のアニール効果
• Effect of Pressure on Ionic Conductivity in Superionic Conductors KAg4I5 and NH4Ag4I5
• Hole Trapping and Detrappirug Characteristics Investigated by Substrate Hot-Hole Injection into Oxide of Metal-Oxide-Semiconduetor Structure
• Hot-Hole-Induced Interface State Generation in p-Channel MOSFETs with Thin Gate Oxide
• Evaluation of Spatial Distribution of Hole Traps Using Depleted Gate MOSFETs
• Analytical Device Model of SOI MOSFETs Including Self-Heating Effect
• Spatial Distribution of Trapped Holes in the Oxide of Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors after Uniform Hot-Hole Injection
• Existence of Double-Charged Oxide Traps in Submicron MOSFET's (SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS 1)
• Interface State Generation Mechanism in MOSFET's during Substrate Hot-Electron Injection : Special Section : Solid State Devices and Materials 2 : Silicon Devices and Process Technologies
• Monte Carlo Study of Hot Electron Transport in Quantum Wells : Electrical Properties of Condensed Matter
• Fundamental Characteristics of Wind Power Generation in Gifu District
• 26a-J-5 強誘電性液晶の誘電的光学的特性と圧力効果
• 23aYQ-10 (1-x)Pb(Mg_Nb_)O_3-xPbTiO_3のラマン散乱
• 23aYQ-9 (1-X)Pb(Zn_Nb_)O_3-xPbTiO_3混晶のラマン散乱II
• 26a-A-2 リラクサー(1-x)Pb(Mg_W_)O_3-xPbTiO_3の誘電特性
• 30p-YD-10 リラクサー(1-x)Pb(Mg_W_)O_3-xPbTiO_3の非線型誘電率
• 3p-C-12 {N(CH_3)_4}_2XCl_4(X:Co.Zn.Fe.Ni.Mn.Cu)の逐次相転移への圧力効果 III
• Liquid-Solid Hybrid Systemによる超高圧力下の無機塩(KNO2,NaNO2,CaCO3)の誘電特性
• Pressure Dependence of Dielectric Properties of Some Inorganic Salts
• 5p-AA-5 {N(CH_3)_4}_2XCl_4(X:Co,Zn,Fe,Mn,Cu)の逐次相転移への圧力効果I
• 6p-F-12 X線によるPb(In_Nb_)O_3の相転移(II)
• 31a-B-8 X線によるPb(In_Nb_)O_3の相転移
• 31a-B-7 Pb(IN_Nb_)O_3の誘電特性(P-E履歴曲線)
• 9p-N-1 NH_4IO_3の相転移への圧力効果
• 25aX-11 (1-x)Pb(Zn_Nb_)O_3-xPbTiO_3混晶のラマン散乱
• Lidar Network System for Monitoring the Atmospheric Environment in Jakarta City
• 26aYJ-7 リラクサPb(Mg_Nb_)O_3の電機光学応答
• 26aYJ-6 PbIn_Nb_O_3の相転移温度分布の観察
• 26aYJ-5 (1-x)Pb(Zn_Nb_)O_3-xPbTiO_3混晶の濃度温度相図
• 20pYM-6 Bi_4Ti_3O_の相転移(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• Piezoelectric Properties of a High Curie Temperature Pb(In_Nb_)O_3-PbTiO_3 Binary System Single Crystal near a Morphotropic Phase Boundary
• Domain Wall Structure in Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3-Mixed Crystals by Atomic Force Microscopy
• X-Ray Diffraction Study of Domain Reversal in Relaxor Pb(Zn_Nb_)O_3 : Condensed Matter: Structure, etc.
• Raman Scattering in(1 - x)Pb(Zn_Nb_)O_3-XPbTiO_3 Mixed Crystal System
• Temperature Dependence of Piezoelectric Properties of a High Curie Temperature Pb(In_Nb_)O_3-PbTiO_3 Binary System Single Crystal near a Morphotropic Phase Boundary
• Observation of the Distribution of the Transition Temperature in PbIn_Nb_O_3 : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
• Dielectric Properties of Solid Solutions (1-x)Pb(Sc_Ta_)O_PbZrO_3 (0 < x < 1)
• 26aYJ-9 X線によるリラクサー(1-x)Pb(Mg_Nb_)O_3-xPbTiO_3の電場効果の観察
• 26aYJ-8 X線回折によるリラクサーPb(Zn_Nb_)O_3の分域変化の観察
• An Improved Method for Wind Measurements with a Conical-Scanning Correlation Lidar
• 30a-YD-11 BaTi_(1-x)Sn_xO_3の相転移への圧力効果
• 30a-YD-10 BaTi_1-xZrxO_3のラマン散乱 I
• 29a-YK-8 BaTi_Zr_xO_3の相転移への圧力効果
• Pressure-Induced Structural Phase Transition from Relaxor Phase to Antiferroelectric Phase in Disordered Pd (In_Nb_)O_3
• X-Ray Diffraction Study of Pressure-Induced Ferroelectric Phase Transition in Relaxor-Pb (In_Nb_)O_3
• The Temperature and Pressure Dependence of the Dielectric Properties of Disordered and Ordered Pb (In_Nb_)O_3 Single Crystals
• Pressure-Induced Dielectric Change from Relaxor to Antiferroelectric Behavior in Disordered Pb (In_1/2Nb1/2)O_3
• X-Ray Study of Phase Transitions in PbIn_1/2O_3
• 31a-BD-13 Squaric acid H_2C_4O_4 の相転移への圧力効果
• 30a-ZR-8 鉛系複合ペロブスカイトPb(B_B'_)O_3(B=In, Yb;B7=Nb, Ta)の誘電特性に及ぼすB, B'の配列秩序性の効果
• 6a-J-4 一軸性圧力下の蟻酸銅四水和物の誘電特性
• 5p-K-12 静水圧下におけるRbNO_3の誘電的性質
• 29p-YR-13 (CH_3)_2NH_2Al(SO_4)_2・6H_2O(DMAAS)の誘電特性に及ぼす圧力効果
• 1p-A-8 反強誘電体リン酸ベタインにおける電界誘起強誘電相転移に伴う誘電分散
• 28p-ZC-4 複合ペロブスカイトPb(In_Yb_Ta_)O_3(x=0〜1)の誘電特性
• Considerations in Dielectric Properties of Iodinated Trissarcosine Calcium Chloride under Pressure
• Dielectric Properties of Quenched KNO3 Thin Film
• Dielectric Loss Tangent of Trissarcosine Calcium Chloride under Hydrostatic Pressure
• High-Power Ferroelectric Limiter
• 2a GG-9 {N(CH_3)_4}_2XCl_4 (X:Co, Zn, Fe, Ni, Mn, Cu) の逐次相転移への圧力効果 II
• 強誘電体CsH2PO4の圧力誘起反強誘電性
• 3a-AA-1 強誘電体CsH_2PO_4における圧力誘起反強誘電性
• 1a-BD-4 NH_4LiSO_4 の相転移への圧力効果
• 反強誘電体蟻酸銅四水和物の誘電特性に及ぼす圧力効果
• 高静水圧力下における反強誘電体蟻酸銅の誘電的性質
• Phenomenological Treatment of Antiferroelectric Transition under Hydrostatic Pressure
• 30p-YD-15 (1-x)Pb(In_1/2Nb_1/2)O_3-xPbZrO_3混晶の誘電分散
• 30p-YD-14 RelaxorPb(In_1/2Nb_1/2)O_3とPbZrO_3との固溶体の相転移への圧力効果
• 21pGN-4 リラクサ強誘電体単結晶のミクロンからナノスケールでのドメイン構造(21pGN リラクサー・光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pGN-3 Pb(In_Nb_)O_3のドメイン構造に与えるBサイトランダムネスの効果(21pGN リラクサー・光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 2p-YF-11 Relaxor Pb(In_Nb_)O_3とPbZrO_3との固溶体の相転移
• 反強誘電体における電界誘起強誘電相転移に伴う誘電物性
• 3a-B-13 電界誘起反強誘電→強誘電相移転における誘電分散
• 2a-L-6 Pb(Sc_Nb_)O_3の秩序・無秩序強誘電相転移に及ぼす圧力・電界効果
• 静水圧下における強誘電体誘電損失の現象論的解析
• 20aAR-7 Polingに伴うドメイン構造変化がリラクサ強誘電体の誘電特性に及ぼす効果(20aAR 誘電体(水素結合/硫安系他,リラクサー,ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXZB-9 リラクサPIN-PMN-PT(001)板での[001]軸方向に沿う応力による分極反転に伴うドメイン構造の変化(27aXZB 誘電体(水素結合系,TGS他,リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 7pSH-3 リラクサPb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3混晶のドメイン観察(誘電体,領域10)
• タイトル無し

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