大和 英弘 | 岐阜大工
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概要
関連著者
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大和 英弘
岐阜大工
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安田 直彦
岐阜大工
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Yasuda Naoki
Advanced Tech. R/d Center Mitsubishi Electric Co. Ltd.
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Ohwa Hidehiro
Electronic And Information Engineering Department Gifu University
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Ishibashi Y
Takeda Pharmaceutical Company Ltd.
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Ishibashi Y
九州大
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岩田 真
名大院工
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Yasuda Naoki
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
-
Itoh Yuuki
Electrical And Electronic Engineering Department Gifu University
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Yasuda Naohiko
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Gifu University
-
寺内 暉
関学大理工
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折原 宏
名大・理工総研
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岩田 真
名工大
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Orihara Hiroshi
Applied Physics Department Graduate School Of Engineering Nagoya University
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折原 宏
Hokkaido Univ. Sapporo
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岩田 真
名工大院工
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石橋 善弘
愛知淑徳大
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Itoh Masakazu
Department Of Energy Engineering And Science Nagoya University
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Iwata Makoto
Department Of Applied Physics School Of Engineering Nagoya University
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Iwata M
Meiji Seika Kaisha Ltd. Yokohama Jpn
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寺内 暉
関西学院大
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Orihara Hiroshi
Nippon Soken Inc.
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Ishibashi Yoshihiro
Business Communication Research Institute Aichi Shukutoku University
-
Orihara Hiroshi
Synthetic Crystal Research Laboratory Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Ishibashi Yoshihiro
Faculty Of Business Aichi Shukutoku University
-
寺内 暉
関西学院大・理
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山下 洋八
東芝
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折原 宏
北大院工
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IWATA Makoto
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya
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YASUDA Naohiko
Electrical and Electronic Engineering Department, Gifu University
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OHWA Hidehiro
Electrical and Electronic Engineering Department, Gifu University
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Ishibashi Yoshihiro
Synthetic Crystal Research Laboratory School Of Engineering Nagoya University
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石橋 義弘
名大・工
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大和田 謙二
原子力機構
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大和田 謙二
原子力機構:crest
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岩田 真
名大工
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藤田 一彦
岐阜高専
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Rahman Md.M.
岐阜大工
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折原 宏
名大院工
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折原 宏
名大工
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野村 健二
関学大理
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ISHIBASHI Yoshihiro
Department of Applied Physics, School of Engineering, Nagoya University
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Yoshida Yoichi
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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Yamada Yasusada
Advanced Research Institute Waseda University:advanced Science Research Center Japan Atomic Energy R
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Yamashita Y
Power Supply Materials And Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Yamashita Yohachi
Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Yamashita Yohachi
Toshiba Materials & Devices Research Laboratories
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新階 哲夫
関学大理
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安田 直彦
岐大工
-
大和 英弘
岐大工
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Yamashita Yoshio
Sortec Corporation:(present Address) Oki Electric Industry Co. Ltd.
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Yamashita Yasuharu
Synthetic Crystal Research Laboratory School Of Engineering Nagoya University
-
Yamashita Y
Graduate School Of Natural Science And Technology Okayama University
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Yamashita Y
Central Research Laboratory Hamamatsu Photonics K.k.
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Ishibashi Yoshihiro
Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Nagoya University
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石橋 善弘
名大工
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石舘 健男
静大理
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石橋 善弘
九州大
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OHWA Hidehiro
Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Gifu University
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YASUDA Naohiko
Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Gifu University
-
YAMASHITA Yohachi
Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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ISHIBASHI Yoshihiro
Faculty of Business, Aichi Shukutoku University
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ORIHARA Hiroshi
Applied Physics Department, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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Yamashita Yohachi
Corporate R&d Center Toshiba Corp.
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石野 振一郎
関学大理
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廣田 和馬
阪大理
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福田 竜生
原子力機構放射光
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水木 純一郎
原子力機構放射光
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筒井 智嗣
JASRI
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Baron Alfred
JASRI
-
Baron A.
JASRI
-
Baron A.
理研播磨研:trip(jst):spring-8 Jasri
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Baron A.
Jasri Spring-8:理研 Spring-8
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Baron Alfred
理研
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廣田 和馬
東大物性研
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福田 竜夫
原子力機構放射光
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高橋 功
関学大理工
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松下 三芳
Jfeミネラル:crest
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水木 純一郎
原子力機構放射光:trip(jst)
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水木 純一郎
原子力機構
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Baron A
JAERI
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広田 和馬
大阪大理
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Baron A
Jasri Spring-8:理研 Spring-8
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鈴木 里司
岐阜大工
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松下 三芳
川鉄工業
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高橋 功
関学大理ハイテク・リサーチ・センター
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福田 竜生
原子力機構放射光:理研播磨研:trip(jst)
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MAEDA Masaki
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya
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Maple M
Univ. California California Usa
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Maeda M
Department Of Engineering Physics Electronics And Mechanics Graduate School Of Engineering Nagoya In
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水木 純一郎
日本原子力研究開発機構放射光科学研究ユニット
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水木 純一郎
原子力機構・放射光科学研究ユニット
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SUZUKI Ikuo
Department of Electronics,Nagoya Institute of Technology
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TERAUCHI Hikaru
Advanced Research Center of Science, School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University
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ITOH Yuuki
Electrical and Electronic Engineering Department, Gifu University
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Hosono Y
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
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Hosono Yasuharu
Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Hosono Yasuharu
Power Supply Materials And Devices Laboratories Research And Development Center Toshiba Corporation
-
Terauchi Hikaru
Advanced Research Center Of Science School Of Science And Technology Kwansei Gakuin University
-
Terauchi Hikaru
Department Of Physics School Of Science Kwansei-gakuin University
-
Terauchi Hikaru
Advanced Research Center Of Science Faculty Of Science And Technology Kwansei Gakuin University (arc
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亀井 隆一
名大工
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Matsuda Masaaki
Department Of Physics Tohoku University
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Suzuki Isao
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Baron Alfred
理研播磨研:trip(jst):spring-8 Jasri
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Matsuda M
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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Maeda Masaki
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya University
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Suzuki Ikuo
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Maeda Masaki
Department Of Engineering Physics Electronics And Mechanics Graduate School Of Engineering Nagoya In
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石橋 義弘
愛知淑徳大
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浅野 茂登
岐大工
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Suzuki Ikuo
Department Of Engineering Physics Electronics And Mechanics Graduate School Of Engineering Nagoya In
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大和 英弘
岐阜大・工
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安田 直彦
岐阜大・工
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Terauchi Hikaru
Advanced Research Center Of Science And School Of Science Kwansei-gakuin University
-
森 茂生
大阪府立大学大学院工学研究科
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森 茂生
阪府大工
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森 茂生
阪府大院工
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OHWADA Kenji
Synchrotron Radiation Research Unit, Japan Atomic Energy Agency
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広田 和馬
東北大理
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青柳 倫太郎
名工大
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前田 雅輝
名工大
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森 茂生
大阪府立大院工学
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久留島 康輔
東レリサーチセンター
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小林 敬介
東北大院理
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前田 雅輝
名工大・工
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折原 宏
名大・工
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石橋 善弘
名大・工
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舘 義仁
JFEミネラル(株)技術研究所
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大塚 昌太
岐阜大工
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橋本 慎司
岐阜大工
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Rahman Md.
岐阜大工
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Maeda M
Graduate School Of Information Science And Electrical Engineering Kyushu University
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前田 三男
久留米高等専門学校
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前田 三男
九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門
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黒田 敬太
名工大工
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長谷川 祐介
名工大工
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安田 直彦
岐阜大学
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Ohwada Kenji
Synchrotron Radiation Research Center (spring-8) Quantum Beam Science Directorate Japan Atomic Energ
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高橋 菜津美
岐阜大工
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YAMASHITA Yohachi
Power Supply Materials and Devices Research Laboratories, Research and Development Center, Toshiba C
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ARAI Norio
Research Center for Advanced Energy Conversion, Nagoya University
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HIROTA Kazuma
Neutron Science Laboratory, Institute for Solid State Physics, University of Tokyo
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Ohwada Kenji
Synchrotron Radiation Research Unit Quantum Beam Science Directorate Japan Atomic Energy Agency:cres
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水木 純一
原子力機構放射光
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水木 純一郎
日本原子力研究所関西研究所
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Mori S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo
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廣田 和篤
東大物性研
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Hirota K
Department Of Physics Tohoku University
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Hirota Kazuma
Neutron Science Laboratory Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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岩田 真
名大・工
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ARAKI Takashi
Department of Botany, Graduate School of Science, Kyoto University
-
阪野 智一
岐阜大工
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MATUSHITA Mituyoshi
Kawatetu Mining Co., Ltd.
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SAKAGUCHI Masahiro
Electrical and Electronic Engineering Department, Gifu University
-
MORI Noriaki
Department of Electrical & Electronic Engineering, Gifu University
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HOSONO Yasuharu
Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
-
IWATA Makoto
Applied Physics Department, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
IWATA Makoto
Deportment of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology
-
TOMISATO Nobuaki
Applied Physics Department, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
TANAKA Nobuo
Applied Physics Department, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
KUME Motoyuki
Department of Electrical and Electronic Engineering, Gifu University
-
HOSONO Yasuharu
Power Supply Materials and Device Laboratory Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
-
ISHINO Shinnichirou
Advanced Research Center of Science, School of Science, Kwansei-Gakuin University
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片桐 真史
名大院工
-
MATSUDA M.
Institute for Solid State Physics, University of Tokyo
-
Arai Norio
Research Center For Advanced Energy Conversion Nagoya University
-
Tomisato Nobuaki
Applied Physics Department Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Hosono Yasuharu
Corporate R&d Center Toshiba Corp.
-
Yamashita Yohachi
Power Supply Materials And Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Terauchi H
Kwansei Gakuin Univ. Sanda Jpn
-
Ishino Shin-ichirou
Advanced Research Center Of Science School Of Science Kwansei-gakuin University
-
冨里 信彰
名大院工
-
野村 建二
関学大理
-
大橋 純
岐大工
-
岩田 真
関学大理
-
大和田 謙二
原研関西研
-
星野 秀隆
名大院工
-
石橋 弘
愛知淑徳大
-
Kume Motoyuki
Department Of Electrical And Electronic Engineering Gifu University
-
Araki Takashi
Department Of Botany Division Of Biological Science Graduate School Of Science Kyoto University
-
Araki Takashi
Department Of Electrical And Computer Engineering Nagoya Institute Of Technology
-
Kume M
Department Of Electrical And Electronic Engineering Gifu University
-
Mori Noriaki
Department Of Electrical & Electronic Engineering Gifu University
-
星野 秀隆
名大工
-
福田 将虎
関学大理
-
Arai Norio
Research Center For Advanced Energy Conversion
-
平岡 靖史
静大理
-
Matushita Mituyoshi
Kawatetu Mining Co. Ltd.
-
Sakaguchi M
National Inst. Infectious Diseases Tokyo Jpn
-
Miyashita S
Univ. Tsukuba
-
福田 竜生
JAEA/SPring-8
-
森 茂生
大阪府大理
-
石野 宏治
名大・工
-
久留島 康輔
東レリサーチ
-
Tanaka Nobuo
Applied Physics Department Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Terauchi Hikaru
Department Of Phisics Kwansei-gakuin University
-
小林 敬介
阪府大院工
-
大和田 謙二
原研関西
-
不破 知裕
岐阜大工
著作論文
- 20pHS-12 Ordered-Pb(In_Nb_)O_3のX線非弾性散乱実験(20pHS 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pxA-10 リラクサ-Pb(In_Nb_)O_3のフォノン観測(誘電体(リラクサー),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pHS-7 ブリジマン法で作製されたBi-O格子欠陥によるrandom fieldに基づくリラクサ固溶体Na_Bi_TiO_3-BaTiO_3単結晶の圧電特性(20pHS 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aYJ-12 リラクサ強誘電体固溶体NBTBTに於ける格子欠陥に基ずく誘電・圧電特性(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 30aRF-5 リラクサ強誘電体固溶体の圧電応答に於けるナノツインドメインの電界誘起分極反転(30aRF 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pYE-6 MPB近傍でのリラクサ強誘電体固溶体PMNTの圧電・誘電応答に及ぼす圧力誘起自由エネルギ変化の影響(誘電体(リラクサー関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXA-8 MPB近傍のリラクサ強誘電体固溶体の圧電応答への外力の効果(誘電体(リラクサー),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aTE-3 (1-x)Pb(In_Nb_)O_3-xPbTiO_3混晶の相転移(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aTE-7 リラクサ強誘電体固溶体の圧電特性に於ける品質係数Qからのドメインスイッチング(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pWY-11 リラクサ強誘電体固溶体NBTBTでのドメイン構造と誘電特性(23pWY マルチフェロイック・リラクサー,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- Spatial Distribution of the B-site Inhomogeneity in an as-grown Pb(In_Nb_)O_3 Single Crystal Studied by a Complementary Use of X-ray and Neutron Scatterings(Condensed Matter : Structure, Mechanical and Thermal Properties)
- 28aXD-9 リラクサ強誘電体固溶体PZNT,PMNTの圧電特性への圧力効果(28aXD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aXD-12 Pb(In_Nb_)O_3のX線・中性子散乱(28aXD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Pressure Dependence of Piezoelectric Properties of Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3 Binary System Single Crystal near a Morphotropic Phase Boundary
- Effect-of Electric Fields on Domain Structure and Dielectric Properties of Pb(ln_Nb_)0_3-PbTi0_3 near Morphotropic Phase Boundary
- Crystal Growth and Some Properties of Lead Indium Niobate-Lead Titanate Single Crystals Produced by Solution Bridgman Method
- Domain Observation in Pb[(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3 Mixed Crystals
- Raman Scattering in (1-x)Pb(Mg_Nb_)O_3-xPbTiO_3
- Raman Scattering In (1 - X)Pb(Zn_Nb_)O_PbTiO_3 Mixed Crystal System II
- Crystal Growth and Dielectric Properties of Solid Solutions of Pb(Yb_Nb_)O_3-PbTiO_3 with a High Curie Temperature near a Morphotropic Phase Boundary
- 19aWE-10 リラクサ強誘電体Pb(In_Nb_)O_3のアニール効果
- 23aYQ-10 (1-x)Pb(Mg_Nb_)O_3-xPbTiO_3のラマン散乱
- 23aYQ-9 (1-X)Pb(Zn_Nb_)O_3-xPbTiO_3混晶のラマン散乱II
- 26a-A-2 リラクサー(1-x)Pb(Mg_W_)O_3-xPbTiO_3の誘電特性
- 30p-YD-10 リラクサー(1-x)Pb(Mg_W_)O_3-xPbTiO_3の非線型誘電率
- 6p-F-12 X線によるPb(In_Nb_)O_3の相転移(II)
- 31a-B-8 X線によるPb(In_Nb_)O_3の相転移
- 31a-B-7 Pb(IN_Nb_)O_3の誘電特性(P-E履歴曲線)
- 25aX-11 (1-x)Pb(Zn_Nb_)O_3-xPbTiO_3混晶のラマン散乱
- 26aYJ-6 PbIn_Nb_O_3の相転移温度分布の観察
- 26aYJ-5 (1-x)Pb(Zn_Nb_)O_3-xPbTiO_3混晶の濃度温度相図
- 26aYJ-9 X線によるリラクサー(1-x)Pb(Mg_Nb_)O_3-xPbTiO_3の電場効果の観察
- 26aYJ-8 X線回折によるリラクサーPb(Zn_Nb_)O_3の分域変化の観察
- 30a-YD-11 BaTi_(1-x)Sn_xO_3の相転移への圧力効果
- 30a-YD-10 BaTi_1-xZrxO_3のラマン散乱 I
- 29a-YK-8 BaTi_Zr_xO_3の相転移への圧力効果
- 30p-YD-15 (1-x)Pb(In_1/2Nb_1/2)O_3-xPbZrO_3混晶の誘電分散
- 30p-YD-14 RelaxorPb(In_1/2Nb_1/2)O_3とPbZrO_3との固溶体の相転移への圧力効果
- 21pGN-4 リラクサ強誘電体単結晶のミクロンからナノスケールでのドメイン構造(21pGN リラクサー・光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pGN-3 Pb(In_Nb_)O_3のドメイン構造に与えるBサイトランダムネスの効果(21pGN リラクサー・光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20aAR-7 Polingに伴うドメイン構造変化がリラクサ強誘電体の誘電特性に及ぼす効果(20aAR 誘電体(水素結合/硫安系他,リラクサー,ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXZB-9 リラクサPIN-PMN-PT(001)板での[001]軸方向に沿う応力による分極反転に伴うドメイン構造の変化(27aXZB 誘電体(水素結合系,TGS他,リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- タイトル無し