岩田 真 | 名工大
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概要
関連著者
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岩田 真
名工大
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岩田 真
名工大院工
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Itoh Masakazu
Department Of Energy Engineering And Science Nagoya University
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岩田 真
名大院工
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Ishibashi Yoshihiro
Business Communication Research Institute Aichi Shukutoku University
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Iwata M
Meiji Seika Kaisha Ltd. Yokohama Jpn
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Ishibashi Y
九州大
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Ishibashi Y
Takeda Pharmaceutical Company Ltd.
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Itoh Yuuki
Electrical And Electronic Engineering Department Gifu University
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前田 雅輝
名工大
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石橋 善弘
愛知淑徳大
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Iwata Makoto
Department Of Applied Physics School Of Engineering Nagoya University
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前田 雅輝
名工大・工
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石橋 義弘
名大・工
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安田 直彦
岐阜大工
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青柳 倫太郎
名工大
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Ishibashi Yoshihiro
Synthetic Crystal Research Laboratory School Of Engineering Nagoya University
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Ishibashi Yoshihiro
Faculty Of Business Aichi Shukutoku University
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大和 英弘
岐阜大工
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Yasuda Naoki
Advanced Tech. R/d Center Mitsubishi Electric Co. Ltd.
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Yasuda Naohiko
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Gifu University
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Yasuda Naoki
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
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Ohwa Hidehiro
Electronic And Information Engineering Department Gifu University
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辻見 裕史
北大電子研
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鈴木 〓雄
名工大
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石橋 善弘
名大
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寺内 暉
関学大理工
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寺内 暉
関西学院大・理
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寺内 暉
関西学院大
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山下 洋八
東芝
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石橋 善弘
名大工
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加藤 貞治
名工大
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藤田 一彦
岐阜高専
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Rahman Md.M.
岐阜大工
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安田 直彦
岐阜大学
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舘 義仁
Jfeミネラル
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石橋 善弘
九州大
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鈴木 久男
静岡大学工学部物質工学科
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鈴木 久男
静岡大学 創造科学技術大学院
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趙 成華
名工大
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榊原 耕平
名工大
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森下 拓磨
名工大
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石橋 善弘
九州大理
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飯島 直也
名工大
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Suzuki H
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
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鈴木 久男
静岡大 創造科学技術大学院
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Suzuki H
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima‐shi Jpn
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安田 直彦
岐阜大・工
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安藤 兼一郎
名工大
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八木 駿郎
北大電子研
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伊藤 文彦
名工大
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石橋 善弘
九大院理
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松下 三芳
Jfeミネラル:crest
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岩田 真
名工大工
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鈴木 里司
岐阜大工
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松下 三芳
川鉄工業
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石橋 善弘
名大 工
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五郎谷 善弘
北大電子研
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脇谷 尚樹
静岡大学 工学部 物質工学科
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鈴木 久男
静岡大工
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ISHIBASHI Yoshihiro
Department of Applied Physics, School of Engineering, Nagoya University
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IWATA Makoto
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya
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黒田 敬太
名工大工
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長谷川 祐介
名工大工
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鬘谷 浩平
名工大
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前川 直紀
名工大
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楠木 一平
北大電子研
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杉山 佑太
名工大
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長橋 諒
名工大
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大和田 謙二
原子力機構
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前田 雅輝
名工大工
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舘 義仁
JFEミネラル(株)技術研究所
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大塚 昌太
岐阜大工
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橋本 慎司
岐阜大工
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Rahman Md.
岐阜大工
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折原 宏
北大院工
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折原 宏
名大・理工総研
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折原 宏
名大院工
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大野 智也
北見工業大学 マテリアル工学科
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脇谷 尚樹
静岡大工
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脇谷 尚樹
静大工
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鈴木 久男
静大工
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Orihara Hiroshi
Nippon Soken Inc.
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Maeda M
Graduate School Of Information Science And Electrical Engineering Kyushu University
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前田 三男
久留米高等専門学校
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前田 三男
九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門
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SAKAKIBARA Kohei
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya
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AOYAGI Rintaro
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya
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MAEDA Masaki
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya
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青柳 倫太郎
名工大工
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Aoyagi Rintaro
Department Of Engineering Physics Electronics And Mechanics Graduate School Of Engineering Nagoya In
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Sakakibara Kohei
Department Of Engineering Physics Electronics And Mechanics Graduate School Of Engineering Nagoya In
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Hlinka J.
チェコ物理研
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Yagi T
Hokkaido Univ. Sapporo
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折原 宏
Hokkaido Univ. Sapporo
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石橋 善弘
九大理
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高橋 菜津美
岐阜大工
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Yagi T
Department Of Physics Kyushu University
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鈴木 大輔
静岡大工
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Hlinka J.
チェコ物理学研究所
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大野 智也
静岡大工
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鈴木 旻雄
名工大
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阪野 智一
岐阜大工
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片桐 真史
名大院工
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Orihara Hiroshi
Applied Physics Department Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Orihara Hiroshi
Synthetic Crystal Research Laboratory Faculty Of Engineering Nagoya University
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Matsuda M
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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Maeda Masaki
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya University
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Maeda Masaki
Department Of Engineering Physics Electronics And Mechanics Graduate School Of Engineering Nagoya In
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柳澤 朋李
北大電子研
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Ishibashi Yoshihiro
Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Nagoya University
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大和 英弘
岐阜大・工
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田中 数機
名工大
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不破 知裕
岐阜大工
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Matushita M
Department Of Engineering Physics Electronics And Mechanics Graduate School Of Engineering Nagoya In
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Orihara Hiroshi
Synthetic Cristal Research Laboratory Faculty Of Engineering Nagoya University
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前田 三男[他]
久留米工業高等専門学校
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田中 数樹
名工大
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森 茂生
阪府立大
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横井 隆太
名工大
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荒木 貴司
名工大
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八木 駿郎
北大応電研
著作論文
- 20pHS-8 Pb(Zn_Nb_)-8%PbTiO_3混晶の電場相図(20pHS 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28aYJ-5 TGS劈開面のAFM観察II(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pHS-7 ブリジマン法で作製されたBi-O格子欠陥によるrandom fieldに基づくリラクサ固溶体Na_Bi_TiO_3-BaTiO_3単結晶の圧電特性(20pHS 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aYJ-12 リラクサ強誘電体固溶体NBTBTに於ける格子欠陥に基ずく誘電・圧電特性(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 30aRF-5 リラクサ強誘電体固溶体の圧電応答に於けるナノツインドメインの電界誘起分極反転(30aRF 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pYE-6 MPB近傍でのリラクサ強誘電体固溶体PMNTの圧電・誘電応答に及ぼす圧力誘起自由エネルギ変化の影響(誘電体(リラクサー関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXA-8 MPB近傍のリラクサ強誘電体固溶体の圧電応答への外力の効果(誘電体(リラクサー),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aTE-4 Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3混晶のラマン散乱II(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aXA-1 Bi_La_xTi_3O_の相図II(誘電体(ペロブスカイト),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Dielectric study of phase transitions in Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3
- 27aYJ-8 Pb(Zn_Nb_)O_3の低周波光学フォノンによるラマン散乱(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 30pRF-1 (1-x)Pb(In_Nb_)O_PbTiO_3混晶の濃度相境界(30pRF 誘電体(ペロブスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aVE-5 Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3混晶のポーリングされた結晶の相図(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aYE-8 TGS劈開面のAFM観察(誘電体(水素結合),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aTE-1 電場下におけるPMNの誘電特性(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aTE-3 (1-x)Pb(In_Nb_)O_3-xPbTiO_3混晶の相転移(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aTE-7 リラクサ強誘電体固溶体の圧電特性に於ける品質係数Qからのドメインスイッチング(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aXA-2 Bi_4Ti_3O_の分極反転II(誘電体(ペロブスカイト),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Domains and Domain Walls in Ferroelectric Bi_4Ti_3O_ : A System with Biquadratic Order Parameter Coupling
- 23pZD-5 Bi_4Ti_3O_の分極反転(23pZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aXD-8 PZN-PT混晶の誘電異方性(28aXD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20pYM-9 電場下におけるPZNの誘電特性(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pZD-6 Bi_La_xTi_3O_の相図(23pZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aPS-134 ポーリングしたBaTiO_3単結晶の誘電異方性(24aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 23pWY-11 リラクサ強誘電体固溶体NBTBTでのドメイン構造と誘電特性(23pWY マルチフェロイック・リラクサー,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 24aPS-133 Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3の電場誘起菱面体-正方晶相転移(24aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 24aPS-132 Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3混晶の電場誘起臨界点(24aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 27aYR-6 PZN-PT混晶のラマン散乱(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 28aXD-9 リラクサ強誘電体固溶体PZNT,PMNTの圧電特性への圧力効果(28aXD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19aWE-10 リラクサ強誘電体Pb(In_Nb_)O_3のアニール効果
- 29pYF-13 PZN 系強誘電体のブリルアン散乱
- 26aWY-3 (Ba,Ca)TiO_3混晶の相図へのコメント(26aWY 領域10,領域8,領域7,領域3合同シンポジウム:誘電体に潜む新しい秩序-最近の話題-,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aWY-3 (Ba,Ca)TiO_3混晶の相図へのコメント(26aWY 領域10,領域8,領域7,領域3合同シンポジウム:誘電体に潜む新しい秩序-最近の話題-,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pYE-8 原子間力顕微鏡・静電気力顕微鏡でみる分域像(強誘電体分域の測定法の新展開と新しい分域像,シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 領域10「強誘電体薄膜および界面における新しい現象とその応用」(2005年秋季大会シンポジウムの報告)
- 領域10「走査プローブ顕微鏡による強誘電体の新しい微視的観察 : 強誘電体ドメインの観察と制御」(2003年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
- 20pYM-6 Bi_4Ti_3O_の相転移(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pWY-9 Bi_La_xTi_3O_(BLT)混晶における光誘起現象(25pWY 薄膜・酸化物系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 25pTM-1 Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3の臨界点近傍のPNR(25pTM リラクサー,酸化物系,ペロブスカイト,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTM-6 Bi_Sm_xTi_3O_(BSmT)の構造相転移と光散乱(27pTM 酸化物系,光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aPS-126 Pb(Zn_Nb_)O_3-9%PbTiO_3混晶の温度-電場相図(23aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pGN-8 Bi層状構造強誘電体の構造相転移と光散乱(21pGN リラクサー・光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pGN-4 リラクサ強誘電体単結晶のミクロンからナノスケールでのドメイン構造(21pGN リラクサー・光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pGN-1 Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3混晶の相図(21pGN リラクサー・光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24pCL-7 モルフォトロピック相境界近傍の共存状態(24pCL 誘電体(若手奨励賞受賞記念講演,マルチフェロイック,リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20aAR-7 Polingに伴うドメイン構造変化がリラクサ強誘電体の誘電特性に及ぼす効果(20aAR 誘電体(水素結合/硫安系他,リラクサー,ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20aAR-5 Pb(Zn_Nb_)O_3-PbTiO_3混晶の相図II(20aAR 誘電体(水素結合/硫安系他,リラクサー,ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 18pPSA-64 BaTiO_3のエンジニアードドメイン構造形成過程の観察(18pPSA 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 18pPSA-63 Pb(Zn_Nb_)O_3-9%PbTiO_3混晶の温度-電場相図II(18pPSA 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXZB-9 リラクサPIN-PMN-PT(001)板での[001]軸方向に沿う応力による分極反転に伴うドメイン構造の変化(27aXZB 誘電体(水素結合系,TGS他,リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pXZB-4 BaTiO_3のエンジニアードドメイン構造形成過程の観察II(27pXZB 誘電体(ペロフスカイト,量子常誘電性,ナノ粒子,光効果),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28pXS-11 Bi_4Ti_3O_の相転移と対称性(28pXS 誘電体(マルチフェロイック,シミュレーション他),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26aPS-125 Pb(Mg_Nb_)O_3-29.5%PbTiO_3の温度電場相図(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pPSA-20 Pb(Mg_Nb_)O_3-11%PbTiO_3の相転移(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pKA-9 Pb(Zn_Nb_)O_PbTiO_3混晶の温度電場濃度相図(誘電体(マルチフェロイック,リラクサ),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pPSA-19 Pb(Zn_Nb_)O_3-6%PbTiO_3の温度電場相図(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 7pSH-11 リラクサーPZNのプリルアン散乱(誘電体,領域10)
- 7pSH-3 リラクサPb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3混晶のドメイン観察(誘電体,領域10)