田中 哲郎 | 京大・工
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概要
関連著者
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田中 哲郎
京大・工
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田中 哲郎
京大工
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田中 哲郎
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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西野 茂弘
京都工繊大学
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河崎 達夫
京大工
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田中 哲郎
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猪口 敏夫
早川電機工業株式会社中央研究所
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北川 雅彦
シャープ(株) 中央研究所
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更家 淳司
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北川 雅彦
京大・工
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京大・工
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田中 哲郎
京都大学化学研究所
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豊田 耕一
静岡大学電子工学研究所
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佐〓利 治
村田製作所
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田中 誉三
村田製作所
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豊田 耕一
京都大学化学研究所
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山本 俊郎
住友金属工業
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池田 光志
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篠原 昭平
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京大・工
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更塚 淳司
京大・工
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猪口 敏夫
京大化研
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堀田 厚生
京大・工
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猪口 敏夫
京大・化研
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三谷 清
京大・工
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枝松 寿一
京大・工
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山本 俊郎
京大・工
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京大・工
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鎌田 宏
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猪口 敏夫
京大・工
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豊田 耕一
京大・工
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藤川 永生
村田製作所
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小沢 寿一郎
村田製作所
著作論文
- 気相法によるZnSeのヘテロエビタキシー : エピタキシー
- CdTeの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- 4p-A-1 CdSb表面のEtch Pattern
- CdSbの電気的性質 : 半導体
- 14a-A-2 ゲルマニウム蒸着薄膜の電気的性質
- Teの導電率不安定性 : 半導体(不安定性)
- 6p-F-1 Se単結晶の圧電気効果
- 単結晶Seの生成 : 半導体
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー(VPE)
- 6H-SiCの気相成長 : エピタキシー(VPE)
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- ディップ法による6H-SiCの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- SbSIおよびSbSeIの性質 : 誘電体
- 11a-L-1 ロッシェル塩に対するγ線照射の影響 II
- CdCl_2溶液からMo基板上に析出したCdSのモルフォロジー : モルフォロジー
- 3a-D-2 強誘電性半導体に於ける圧抵抗
- 11p-L-5 強誘電性半導体に於ける異常抵抗特性の發生機構
- 20M-6 強誘電体の非直線性とその応用