田中 哲郎 | 京大工
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概要
関連著者
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田中 哲郎
京大工
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松波 弘之
京大工
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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田中 哲郎
京大・工
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西野 茂弘
京都工繊大学
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松波 弘之
京大・工
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岩見 基弘
京大工
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石黒 武彦
京大・工
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西野 茂弘
京大・工
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田中 哲郎
京都大学工学部
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西原 美一
京大工
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石田 誠
京大工
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北川 雅彦
シャープ(株) 中央研究所
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更家 淳司
京大工
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石黒 武彦
京大工
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松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
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松波 弘之
京都大学工学部
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河崎 達夫
京大工
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篠原 昭平
京大工
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北川 雅彦
京大・工
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更家 淳司
京大・工
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田中 哲郎
京大 工
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鈴木 彰
京都大学工学部
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堀田 厚生
京大・工
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西野 茂弘
京大工
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仁田 昌二
岐阜大学工学部電子情報工学科
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仁田 昌二
岐阜大
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鈴木 彰
シャープ(株)中央研究所
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木村 勝高
京大工
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田中 哲郎
東大・工
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鈴木 洋
京大工
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川端 昭
京大工
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山本 俊郎
住友金属工業
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池田 光志
京大・工
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北川 雅彦
京大工
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篠原 昭平
京大・工
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更塚 淳司
京大・工
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宮元 崇行
京大工
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南井 喜一
京大工
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大植 正義
大阪工大
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仁田 昌二
岐大工
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河崎 達夫
京大 工
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松本 修文
京大工
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堀田 厚生
京大工
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三谷 清
京大・工
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鈴木 彰
京大工
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枝松 寿一
京大・工
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山本 俊郎
京大・工
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鈴木 彰
京大・工
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南野 茂弘
京大工
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上原 美樹
京大工
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鎌田 宏
京大・工
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松渡 弘之
京大工
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川崎 達夫
京大 工
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石田 誠
京都大学工学部
著作論文
- PLZT薄膜のエピタキシャル成長 : エピタキシー(VPE)
- GaAs基板上へのZnSeの気相成長 : エピタキシー(VPE)
- 気相法によるZnSeのヘテロエビタキシー : エピタキシー
- CdTeの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- 電子ビーム蒸着法によるPZT薄膜の作成 : 気相成長
- RFスパッタリングによるPLZT薄膜の作成
- BaTiO_3磁器半導体の電気抵抗(誘電体)
- p-CdSbの不純物伝導領域における電流磁気効果 : 半導体 (下純物)
- 化合物半導体CdSbのデンドライト : 結晶成長
- 14a-K-8 CdSbの負の磁気抵抗
- 5a-G-3 p-CdSbの低温における電気的性質の異方性
- CdSbの電気的性質の異方性(半導体(化合物))
- CdSbのピエゾ抵抗効果(半導体(電流,磁気,歪))
- Teの導電率不安定性 : 半導体(不安定性)
- セレン単結晶の電気伝導 : 半導体(半金属)
- テルルの高電界効果の異方性 : 半導体(半金属)
- 6p-F-1 Se単結晶の圧電気効果
- SiC熱酸化膜のオ-ジェ電子分光分析
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー(VPE)
- 6H-SiCの気相成長 : エピタキシー(VPE)
- SiCの熱酸化 : 欠陥
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- ディップ法による6H-SiCの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- CVD法によるα-SiCのエピタキシャル成長
- β-SiCの気相成長
- SiCの気相成長 : エピタクシー
- 12a-H-8 p-CdSbの極低温における高電界効果
- Cd_3As_2の電気的性質 : 半導体(化合物・音波)
- 5a-G-5 Cd_3As_2のホール効果
- 3p-G-5 化合物半導体Cd_3As_2単結晶作成とその性質
- II-V化合物半導体Cd_3As_2の結晶成長 : 半導体 : 結晶成長
- SiC熱酸化膜の生成機構 : 気相成長
- CdCl_2溶液からMo基板上に析出したCdSのモルフォロジー : モルフォロジー
- 強誘電体セラミック素子
- 7p-Q-4 半導体テルル蒸着膜の性質
- 3p-GC-6 MIM系トンネル接合を流れる電流密度の電圧依存性
- 12p-K-8 Cd_3As_2の電気的性質
- CdSの磁気抵抗効果 : 半導体(化合物)
- 高純度材量部門委員会の発足にあたって
- RFスパッタリングによるPLZT薄膜の作成
- SiC熱酸化膜のオージェ電子分光分析
- 電子・通信・情報の世界を変えるLSIエレクトロニクス