鈴木 彰 | シャープ(株)中央研究所

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概要

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関連著者

• 鈴木 彰

  シャープ(株)中央研究所

• 鈴木 彰

  立命館大学 総合理工学研究機構

• 寺口 信明

  シャープ基盤技術研究所

• 中島 重夫

  シャープ 中研

• 寺口 信明

  シャープ(株)技術本部基盤技術研究所

• 中島 重夫

  シャープ

• 鈴木 彰

  (株)ダイフク

• 名西 〓之

  立命館大学 理工学部

• 名西 〓之

  立命館大学

• 中島 重夫

  シャープ(株) 中央研究所

• 古川 勝紀

  シャープ(株)技術本部

• 荒木 努

  立命館大学 理工学部

• 山口 智広

  立命館大学総合理工学研究機構

• 名西 [ヤス]之

  立命館大学理工学部

• 赤木 与志郎

  シャープ(株)基盤技術研究所

• 加野 賢二

  立命館大学理工学部

• 北川 雅彦

  シャープ(株) 中央研究所

• 田中 哲郎

  京大工

• 猪口 敏夫

  シャープ中央研究所

• 友村 好隆

  シャープ(株) 中央研究所

• 中嶋 義晴

  シャープ(株) 中央研究所

• 金澤 紘之

  立命館大学理工学部光工学科

• 鈴木 彰

  京都大学工学部

• 赤木 与志郎

  シャープ(株) 技術本部 材料解析センター

• 植本 敦子

  シャープ(株)技術本部

• 鈴木 彰

  シャープ中央研究所

• 古川 勝紀

  シャープ中央研究所

• 東垣 良之

  シャープ中央研究所

• 原田 茂夫

  シャープ中央研究所

• 中島 重夫

  シャープ中央研究所

• 田中 哲郎

  京都大学工学部

• 山口 智広

  立命館大学r-giro推進機構

• 中嶋 義晴

  シャープ (株) 技術本部

• 中嶋 義晴

  シャープ(株) 技術本部 材料解析センター

• 名西 [ヤス]之

  立命館大学

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著作論文

• MBEによるZnSのホモエピタキシャル成長 : エピタキシーII
• RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
• 28p-G-19 CVD成長立方晶SiC中の残留キャリヤのESRによる検討(1)
• RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
• RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
• SiC Growth(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
• β-SiC単結晶薄膜のCVD成長 : 気相成長
• SiC熱酸化膜の生成機構 : 気相成長

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