山口 智広 | 立命館大学r-giro推進機構
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
名西 博之
立命館大学理工学部
-
斎藤 義樹
立命館大学理工学部
-
名西 [ヤス]之
立命館大学
-
名西 之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部電子光情報工学科
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
名西 [ヤス]之
立命館大学理工学部
-
寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
-
齋藤 義樹
立命館大学理工学部
-
黒内 正仁
立命館大学理工学部
-
加野 賢二
立命館大学理工学部
-
直井 弘之
立命館大学coe推進機構
-
堀 正輝
立命館大学理工学部
-
寺口 信明
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
鈴木 彰
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
川島 圭介
立命館大学理工学部
-
山口 智広
工学院大学大学院工学研究科
-
名西 惠之
立命館大学
-
森岡 千晴
立命館大学理工学部
-
荒木 務
立命館大学理工学部光工学科
-
高木 悠介
立命館大学理工学部
-
金子 昌充
立命館大学総合理工学研究機構
-
野沢 浩一
立命館大学理工学部
-
阪口 順一
立命館大学理工学部
-
王 科
立命館大学R-GIRO
-
上松 尚
立命館大学理工学部
-
Yoon Euijoon
ソウル国立大学WCUプログラム
-
水尾 和洋
立命館大学理工学部
-
金澤 紘之
立命館大学理工学部光工学科
-
武藤 大祐
立命館大学理工学部
-
中谷 佳津彦
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
シャープ(株)中央研究所
-
寺口 信明
シャープ (株) 技術本部 基盤技術研究所
-
鈴木 彰
シャープ (株) 技術本部 基盤技術研究所
-
寺口 信明
シャープ(株)技術本部基盤技術研究所
-
名西 やすし
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
シャープ基盤技術研究所
-
植田 紗依子
立命館大学
-
松田 文絵
立命館大学
-
山口 智広
工学院大学工学部
-
名西 [ヤス]之
立命館大学R-GIRO:ソウル国立大学WCUプログラム
著作論文
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるr面 (10-12) Sapphire 基板上半極性面InNの結晶成長
- 高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現(窒化物半導体結晶)
- RF-MBE法を用いたSi(100)基板上におけるInNの結晶成長(窒化物半導体結晶)
- 窒化物半導体の新展開(紫外発光材料の現状と将来)
- 窒化物半導体の新展開 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- RF-MBE成長したInN/(0001)Sapphireの極微構造観察 : エピキタシャル成長II
- RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_Nの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBE法を用いたSi基板上単結晶InN結晶成長とその評価
- RF-MBE法InN成長における初期成長過程に関する検討
- RF-MBE法による高品質厚膜InN成長のための低温中間層導入に関する検討
- RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
- RF-MBE成長InN膜の表面構造と電気的特性
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBEによるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
- RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- サファイア基板上InN成長での回転ドメインの存在 : エピキタシャル成長II
- RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
- MBE成長InN薄膜の透過電子顕微鏡観察(窒化物半導体結晶)
- InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InNの光学的特性の結晶品質依存性 : InNの真のバンドギャップエネルギーに関する考察
- RF-MBEによる高In組成InGaNの結晶成長とその評価
- MBE法による配列制御InNナノコラム成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)