名西 之 | 立命館大学理工学部
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概要
関連著者
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名西 之
立命館大学理工学部
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名西 〓之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
名西 博之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部電子光情報工学科
-
名西 惠之
立命館大学
-
直井 弘之
立命館大学coe推進機構
-
名西 [ヤス]之
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
-
山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
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名西 [ヤス]之
立命館大学
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山田 朋幸
新機能素子研究開発協会
-
城川 潤二郎
新機能素子研究開発協会
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名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
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土屋 忠厳
(財)新機能素子研究開発協会
-
檜木 啓宏
立命館大学 理工学部
-
土屋 忠厳
新機能素子研究開発協会
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武藤 大祐
立命館大学理工学部
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岩見 正之
新機能素子研究開発協会
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黒内 正仁
立命館大学理工学部
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小坂 賢一
立命館大学 理工学部
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藤嶌 辰也
立命館大学 理工学部
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井上 薫
新機能素子研究開発協会
-
神谷 慎一
新機能素子研究開発協会
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川島 圭介
立命館大学理工学部
-
山田 朋幸
(財)新機能素子研究開発協会
-
城川 潤二郎
(財)新機能素子研究開発協会
-
岩見 正之
(財)新機能素子研究開発協会
-
鈴木 彰
(財)新機能素子研究開発協会
-
廣山 雄一
新機能素子研究開発協会
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早川 祐矢
立命館大学理工学部
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羅 〓石
立命館大学coe推進機構
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高木 悠介
立命館大学理工学部
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金子 昌充
立命館大学総合理工学研究機構
-
野沢 浩一
立命館大学理工学部
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山口 泰平
立命館大学理工学部
-
北川 幸雄
立命館大学理工学部
-
高堂 真也
立命館大学理工学部
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熊谷 裕也
立命館大学理工学部
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露口 招弘
立命館大学理工学部
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寺木 邦子
立命館大学理工学部
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中谷 佳津彦
立命館大学理工学部
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大平 重男
日本軽金属(株)
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千葉 恭男
立命館大学理工学部
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南 礼史
立命館大学
-
高橋 功次
立命館大学
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鈴木 悟仁
日本軽金属(株)
-
千葉 恭男
立命館大学理工学部光工学科
-
山口 智広
工学院大学大学院工学研究科
著作論文
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるr面 (10-12) Sapphire 基板上半極性面InNの結晶成長
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析
- AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 01aB04 MBE法による窒化β-Ga_2O_3基板上への六方晶GaN成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 発光分光分析によるGaN ECR-MBE成長の観察と窒素プラズマ中への水素混入の効果
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- MBE法による配列制御InNナノコラム成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- 次世代情報通信用窒化物半導体電子デバイス開発の現状と材料学的課題