高堂 真也 | 立命館大学理工学部
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概要
関連著者
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直井 弘之
立命館大学coe推進機構
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黒内 正仁
立命館大学理工学部
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荒木 努
立命館大学理工学部
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高堂 真也
立命館大学理工学部
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荒木 努
立命館大学 理工学部
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名西 〓之
立命館大学理工学部
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名西 惠之
立命館大学
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名西 之
立命館大学理工学部
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武藤 大祐
立命館大学理工学部
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羅 〓石
立命館大学coe推進機構
著作論文
- RF-MBE法による高InNモル分率InGaNの成長とその構造および発光特性の評価
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))