名西 〓之 | 立命館大学理工学部
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概要
関連著者
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名西 〓之
立命館大学理工学部
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荒木 努
立命館大学理工学部
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荒木 努
立命館大学 理工学部
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名西 之
立命館大学理工学部
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立命館大学理工学部
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山口 智広
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直井 弘之
立命館大学coe推進機構
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名西 [ヤス]之
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鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
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山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
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鈴木 彰
(株)ダイフク
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名西 [ヤス]之
立命館大学理工学部
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山田 朋幸
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城川 潤二郎
新機能素子研究開発協会
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名西 〓之
立命館大学 理工学部
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名西 〓之
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土屋 忠厳
(財)新機能素子研究開発協会
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檜木 啓宏
立命館大学 理工学部
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土屋 忠厳
新機能素子研究開発協会
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武藤 大祐
立命館大学理工学部
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岩見 正之
新機能素子研究開発協会
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黒内 正仁
立命館大学理工学部
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小坂 賢一
立命館大学 理工学部
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藤嶌 辰也
立命館大学 理工学部
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井上 薫
新機能素子研究開発協会
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神谷 慎一
新機能素子研究開発協会
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川島 圭介
立命館大学理工学部
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山口 智広
工学院大学大学院工学研究科
-
山田 朋幸
(財)新機能素子研究開発協会
-
城川 潤二郎
(財)新機能素子研究開発協会
-
岩見 正之
(財)新機能素子研究開発協会
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鈴木 彰
(財)新機能素子研究開発協会
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廣山 雄一
新機能素子研究開発協会
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早川 祐矢
立命館大学理工学部
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羅 〓石
立命館大学coe推進機構
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高木 悠介
立命館大学理工学部
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金子 昌充
立命館大学総合理工学研究機構
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野沢 浩一
立命館大学理工学部
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山口 泰平
立命館大学理工学部
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北川 幸雄
立命館大学理工学部
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高堂 真也
立命館大学理工学部
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熊谷 裕也
立命館大学理工学部
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露口 招弘
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寺木 邦子
立命館大学理工学部
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阪口 順一
立命館大学理工学部
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王 科
立命館大学R-GIRO
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上松 尚
立命館大学理工学部
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Yoon Euijoon
ソウル国立大学WCUプログラム
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ARAKI Tsutomu
Department of Cardiology, Kanazawa Cardiovascular Hospital
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中谷 佳津彦
立命館大学理工学部
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大平 重男
日本軽金属(株)
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南 礼史
立命館大学
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高橋 功次
立命館大学
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鈴木 悟仁
日本軽金属(株)
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NANISHI Yasushi
Department of Photonics, Ritsumeikan University
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Nanishi Y
Ntt Opto-electronics Laboratories
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Nanishi Yasushi
Department Of Photonics Faculty Of Science And Engineering Ritsumeikan University
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Nanishi Yasushi
Technical Research Laboratory Kansai Paint Co. Ltd.
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HINOKI Akihiro
Department of Photonics, Ritsumeikan University
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KIKAWA Junjiroh
R&D Association for Future Electron Devices
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YAMADA Tomoyuki
R&D Association for Future Electron Devices
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TSUCHIYA Tadayoshi
R&D Association for Future Electron Devices
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KAMIYA Shinichi
R&D Association for Future Electron Devices
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KUROUCHI Masahito
R&D Association for Future Electron Devices
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KOSAKA Kenichi
Department of Photonics, Ritsumeikan University
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SUZUKI Akira
R&D Association for Future Electron Devices
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Araki Tsutomu
Department Of Photonics Ritsumeikan University
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Yamada Tomoyuki
R&d Association For Future Electron Devices
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Araki Tsutomu
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Osaka University
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Kosaka Kenichi
Department Of Photonics Ritsumeikan University
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Hinoki Akihiro
Department Of Photonics Ritsumeikan University
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Kamiya Shinichi
R&d Association For Future Electron Devices
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Kikawa Junjiroh
R&d Association For Future Electron Devices
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Kurouchi Masahito
R&d Association For Future Electron Devices
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Tsuchiya Tadayoshi
R&d Association For Future Electron Devices
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Suzuki Akira
R&d Association For Future Electron Devices
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山口 智広
工学院大学工学部
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名西 [ヤス]之
立命館大学R-GIRO:ソウル国立大学WCUプログラム
著作論文
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるr面 (10-12) Sapphire 基板上半極性面InNの結晶成長
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析
- AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 01aB04 MBE法による窒化β-Ga_2O_3基板上への六方晶GaN成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 窒化物半導体の新展開 (特集/ナノサイエンスの応用と展望)
- ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Effects of Traps Formed by Threading Dislocations on Off-State Breakdown Characteristics in GaN Buffer Layer in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
- MBE法による配列制御InNナノコラム成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)