マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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AlGaN/GaN HFETの実用化にむけて,信頼性の検討にはFET動作時における熱分布による解析が非常に重要となってくる。今回、Micro-Raman分光法を用いて高負荷での動作状態において素子温度の解析を行った。素子温度はGaNのE_2フォノンのラマンシフトから見積もった。V_g=-3V (DC), V_<ds>=50,65,80V(pulse)の時の温度分布解析の結果、V=<ds>60V以上でピーク温度位置のドレイン側へのシフトを確認し、シミュレーションによる動作状態の考察も行った。これはバーチャルゲートおよびドレイン側ゲート端への電界集中が起因となっていると考えられる。
- 2006-09-28
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
小坂 賢一
立命館大学 理工学部
-
藤嶌 辰也
立命館大学 理工学部
-
井上 薫
新機能素子研究開発協会
-
檜木 啓宏
立命館大学 理工学部
-
山田 朋幸
新機能素子研究開発協会
-
土屋 忠厳
新機能素子研究開発協会
-
城川 潤二郎
新機能素子研究開発協会
-
神谷 慎一
新機能素子研究開発協会
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
土屋 忠厳
(財)新機能素子研究開発協会
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
名西 博之
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
名西 之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部電子光情報工学科
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