ECR-MBE法による多結晶ZnO基板上のGaN結晶成長と構造評価 : 気相成長IV
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概要
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GaN films were grown on C-axis oriented polycrstalline ZnO/Si by ECR-MBE. PL intensity of GaN on ZnO/Si was stronger than that of GaN on silica glass and sapphire grown by ECR-MBE. GaN on ZnO/Si was polycrystal with C-axis oriented, which was confirmed by XRD, RHEED, TEM and SEM.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
-
門田 道雄
村田製作所
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
西岡 義人
立命館大学理工学部
-
村田 直也
立命館大学理工学部
-
栃下 光
村田製作所
-
栃下 光
立命館大学大学院理工学研究科
-
矢部 督
立命館大学理工学部
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