RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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RF-MBE法を用いて、c面サファイア基板上にInNを成長した。RHEED観察や、X線回折測定の結果からウルツ鉱型単結晶InN膜が成長していることを確認した。光吸収測定を行った結果、室温において約0.78eV付近での吸収を確認した。さらに、PL測定から吸収端付近において強い発光を得ることができた。サファイア基板上にRF-MBE成長した高インジウム組成の単結晶InGaNについても同様に検討を行った。InGaN組成比に対するPL発光のエネルギー位置は、InNのバンドギャップを約0.8eV、ボーイングパラメータを2.3eVとした曲線上と良い一致を示した。これらの結果は、InNのバンド端が約0.8eVであることを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
齋藤 義樹
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
斎藤 義樹
立命館大学理工学部
-
堀 正輝
立命館大学理工学部
-
寺口 信明
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
鈴木 彰
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
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