斎藤 義樹 | 立命館大学理工学部
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概要
関連著者
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斎藤 義樹
立命館大学理工学部
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山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
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荒木 努
立命館大学理工学部
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名西 〓之
立命館大学 理工学部
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名西 〓之
立命館大学
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山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
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荒木 努
立命館大学 理工学部
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鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
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齋藤 義樹
立命館大学理工学部
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鈴木 彰
(株)ダイフク
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寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
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堀 正輝
立命館大学理工学部
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寺口 信明
シャープ株式会社基盤技術研究所
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鈴木 彰
シャープ株式会社基盤技術研究所
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加野 賢二
立命館大学理工学部
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荒木 務
立命館大学理工学部光工学科
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黒内 正仁
立命館大学理工学部
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森岡 千晴
立命館大学理工学部
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水尾 和洋
立命館大学理工学部
著作論文
- 高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現(窒化物半導体結晶)
- 窒化物半導体の新展開(紫外発光材料の現状と将来)
- 窒化物半導体の新展開 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- RF-MBE成長したInN/(0001)Sapphireの極微構造観察 : エピキタシャル成長II
- RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_Nの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBE法を用いたSi基板上単結晶InN結晶成長とその評価
- RF-MBE法InN成長における初期成長過程に関する検討
- RF-MBE法による高品質厚膜InN成長のための低温中間層導入に関する検討
- RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
- RF-MBE成長InN膜の表面構造と電気的特性
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性