RF-MBE法による高品質厚膜InN成長のための低温中間層導入に関する検討
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概要
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
斎藤 義樹
立命館大学理工学部
-
寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
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