SiC基板上GaNのエッチングによる転位密度評価 : エピキタシャル成長IV
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概要
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The dislocation density observation of GaN grown on SiC substrates by the chemical wet etching was carried out. The hot phosphoric acid and molten potassium hydroxide were used for the examination. The dislocation density was estimated by counting the number of etch pits.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
寺口 信明
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
鈴木 彰
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
-
村松 智
立命館大学理工学部
-
世古 明義
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
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