RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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InNはバンドギャップが約0.7eVであることから、高性能光通信波長帯レーザーダイオードへの応用が提案されている。レーザーダイオードの作製の上で、その活性層として量子井戸構造が重要となる。そこで本研究ではInN/InGaN量子井戸構造を(0001)サファイア基板上に成長したInNテンプレート上にRF-MBE法を用いて作製した。高In組成InGaNの結晶性はInNテンプレートを下地に導入することによって改善した。多重量子井戸構造について、X線回折で評価を行った結果、2次までのサテライトピークを確認した。InN/InGaN単一量子井戸をフォトルミネッセンスで評価した結果、発光ピークエネルギーは井戸幅を減らすにつれて高エネルギー側にシフトした。この発光ピークエネルギー依存性は量子サイズ効果、量子閉じこめシュタルク効果、バンドフィリング効果によるものであると思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-06
著者
-
直井 弘之
立命館大学coe推進機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
名西 惠之
立命館大学
-
黒内 正仁
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
名西 之
立命館大学理工学部
-
高堂 真也
立命館大学理工学部
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