RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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InN結晶高品質化への一つのアプローチであるInNナノコラム成長について報告する。GaNテンプレート基板に、集束イオンビーム加工装置(FIB)を用いてホールパターン加工を施し、その上にECR-MBE法およびRF-MBE法を用いてInNナノコラム成長を行った。成長温度、V/III比、ホールパターンの直径、間隔などの各種成長パラメーターがInNナノコラム成長形態へ与える影響について検討し、これらを最適化することにより、配列制御したInNナノコラムの成長に成功した。作製するホール密度を変化させることで、ナノコラムの形成密度を9本/μm^2.から100本/μm^2に制御することができた。CL測定の結果、InNナノコラムから0.74eVにピーク位置を持つ発光スペクトルが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-12
著者
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
名西 [ヤス]之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
金子 昌充
立命館大学総合理工学研究機構
-
名西 博之
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
-
名西 之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部電子光情報工学科
-
山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
-
名西 [ヤス]之
立命館大学
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