名西 [ヤス]之 | 立命館大学理工学部
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概要
関連著者
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名西 [ヤス]之
立命館大学理工学部
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名西 [ヤス]之
立命館大学
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名西 之
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名西 〓之
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山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
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山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
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立命館大学総合理工学研究機構
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荒木 努
立命館大学 理工学部
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荒木 努
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荒木 努
立命館大学理工学部電子光情報工学科
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高木 悠介
立命館大学理工学部
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金子 昌充
立命館大学総合理工学研究機構
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野沢 浩一
立命館大学理工学部
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川島 圭介
立命館大学理工学部
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鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
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武藤 大祐
立命館大学理工学部
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中谷 佳津彦
立命館大学理工学部
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鈴木 彰
シャープ(株)中央研究所
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寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
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千葉 恭男
立命館大学理工学部
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寺口 信明
シャープ(株)技術本部基盤技術研究所
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千葉 恭男
立命館大学理工学部光工学科
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鈴木 彰
(株)ダイフク
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名西 之
立命館大学
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山口 智広
工学院大学大学院工学研究科
著作論文
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるr面 (10-12) Sapphire 基板上半極性面InNの結晶成長
- ECR-MBE法による石英ガラス基板上多結晶GaNの結晶成長と特性評価(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
- 発光分光分析によるGaN ECR-MBE成長の観察と窒素プラズマ中への水素混入の効果
- MBE法による配列制御InNナノコラム成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- 21世紀の課題と窒化物ワイドギャップ半導体への期待
- 次世代情報通信用窒化物半導体電子デバイス開発の現状と材料学的課題