RF-MBE法によるr面 (10-12) Sapphire 基板上半極性面InNの結晶成長
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概要
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In this study, we report the growth of semipolar InN films on r-plane (10-12) substrates by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). Semipolar InN films were successfully obtained by controlling the substrate nitridation temperature between 400°C and 600°C. We characterized the epitaxial relationship between r-plane sapphire and the obtained semipolar films using X-ray diffraction (XRD). It is found that c-axis of semipolar InN was declined by 21°from the direction perpendicular to r-plane sapphire surface along a-axis of InN.
- 2009-11-01
著者
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
名西 [ヤス]之
立命館大学理工学部
-
武藤 大祐
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
中谷 佳津彦
立命館大学理工学部
-
川島 圭介
立命館大学理工学部
-
名西 博之
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
-
名西 之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部電子光情報工学科
-
山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
-
名西 [ヤス]之
立命館大学
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