原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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InNは近年、高速高周波電子デバイス、長波長光デバイスとして最も期待されている材料の一つである。InN結晶は安定した状態でウルツ鉱構造を持ち、c軸[0001]方向に対して極性を有しているため、(0001)In面と(0001^^-)N面が存在する。窒化物半導体においては、この極性の違いにより結晶性や電子・光物性が大きく影響されるため、その制御と評価は重要である。InNにおいても、これまでCAICISS法、CBED法、KOH溶液エッチングによって極性評価が行われてきている。本論文では原子状水素照射(H^*)によるInN表面モフォロジーの変化が、極性の違いにより大きく異なることを観察し、これがInNの極性評価に有効であることを見出したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-06
著者
-
直井 弘之
立命館大学coe推進機構
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
名西 惠之
立命館大学
-
早川 祐矢
立命館大学理工学部
-
武藤 大祐
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
名西 之
立命館大学理工学部
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