MBE成長InN薄膜の透過電子顕微鏡観察(窒化物半導体結晶)
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概要
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Structural properties of InN films grown on (0001) sapphire by RF-MBE were characterized using transmission electron microscopy. A high density of threading dislocations was observed in the InN films. Most threading dislocations were edge-type dislocations. A columnar structure of crystallites with a small angular distribution in the c-plane (twist) was clearly observed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
森岡 千晴
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
-
植田 紗依子
立命館大学
-
松田 文絵
立命館大学
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