GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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高性能なAlGaN/GaN HEMTの実現にはGaNバッファ層のリーク電流を十分に抑える必要がある。我々は、UVランプ照射下で撮影したGaN単層膜のルミネセンス像から、ルミネセンス強度とGaNバッファ層リーク電流に相関があることを見出したので報告する。GaN層はMOCVD法を用いて、SiC基板上に成長した。評価手法として365nm紫外ランプ励起によるGaN層からのイ***ールミネセンスを撮影する手法によりエピウェハのルミネセンス像を得た。またGaN層に電極を蒸着し、バッファ層リーク電流を測定した。バッファ層リーク電流が大きいサンプルは強いルミネセンス強度を示していた結果から、GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度に相関があることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-06
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
檜木 啓宏
立命館大学 理工学部
-
山田 朋幸
新機能素子研究開発協会
-
土屋 忠厳
新機能素子研究開発協会
-
城川 潤二郎
新機能素子研究開発協会
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
土屋 忠厳
(財)新機能素子研究開発協会
-
名西 惠之
立命館大学
-
廣山 雄一
新機能素子研究開発協会
-
岩見 正之
新機能素子研究開発協会
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
名西 之
立命館大学理工学部
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