名西 惠之 | 立命館大学

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概要

• 同名の論文著者
• 立命館大学の論文著者

関連著者

• 荒木 努

  立命館大学 理工学部

• 名西 惠之

  立命館大学

• 荒木 努

  立命館大学理工学部

• 直井 弘之

  立命館大学coe推進機構

• 名西 〓之

  立命館大学理工学部

• 名西 之

  立命館大学理工学部

• 鈴木 彰

  立命館大学 総合理工学研究機構

• 鈴木 彰

  (株)ダイフク

• 武藤 大祐

  立命館大学理工学部

• 黒内 正仁

  立命館大学理工学部

• 山田 朋幸

  新機能素子研究開発協会

• 城川 潤二郎

  新機能素子研究開発協会

• 土屋 忠厳

  (財)新機能素子研究開発協会

• 岩見 正之

  新機能素子研究開発協会

• 早川 祐矢

  立命館大学理工学部

• 檜木 啓宏

  立命館大学 理工学部

• 土屋 忠厳

  新機能素子研究開発協会

• 山口 智広

  立命館大学総合理工学研究機構

• 山田 朋幸

  (財)新機能素子研究開発協会

• 城川 潤二郎

  (財)新機能素子研究開発協会

• 岩見 正之

  (財)新機能素子研究開発協会

• 鈴木 彰

  (財)新機能素子研究開発協会

• 廣山 雄一

  新機能素子研究開発協会

• 米田 亮太郎

  立命館大学理工学部

• 萬 謙太郎

  立命館大学理工学部

• 羅 〓石

  立命館大学coe推進機構

• 北川 幸雄

  立命館大学理工学部

• 山口 智広

  立命館大学r-giro推進機構

• 高堂 真也

  立命館大学理工学部

• 熊谷 裕也

  立命館大学理工学部

• 露口 招弘

  立命館大学理工学部

• 寺木 邦子

  立命館大学理工学部

• 山口 智広

  工学院大学工学部情報通信工学

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著作論文

• AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• KOH水溶液を用いたInNの極性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• KOH水溶液を用いたInNの極性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• KOH水溶液を用いたInNの極性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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