ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

概要

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我々はECR-MBE法(ECRプラズマ分子線エピタキシー法)を用いて、R面(10-12)サファイア基板に窒化処理を行い、その上にInNの成長を行うことで、A面(11-20)InNを成長できることを見出したので報告する。R面サファイア基板の窒化条件は430℃で10分と15分で行った。評価方法はReflection high-energy electron diffraction (RHEED)、Scanning electron microscopy (SEM)、X-ray diffraction (XRD)、Transmission Electron Microscopy (TEM)、Photoluminescence (PL)を用いた。窒化時間10分のサンプルをRHEEDとXRDで評価した結果、A面InNが得られたが、立方晶InNの混在もあることがわかった。しかし、窒化時間を15分と長くすることにより立方晶InNの混在を抑制することができた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-10-06