ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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ECR-MBE法を用いたZnO/Si基板上多結晶GaN成長において、表面モフォロジーの平坦化を目的として、ZnO/Si基板のサーマルクリーニングと高温での成長方法について検討を行った。760℃のサーマルクリーニングにより、基板表面が悪化し、また500℃以上においてZnの脱離が起こっていることを確認した。以上の結果をもとに、サーマルクリーニングを500℃で行うことにより、700℃でGaNを成長した場合に、グレインサイズが増大した平坦な多結晶GaNを得ることに成功した。さらにより高温での成長を実現するために、低温GaNバッファ層堆積後に700℃で平坦なGaN中間層を成長し、その後750℃で成長を行う三段階成長を試みた。その結果、三段階成長を用いずに成長する場合に比べ、多結晶GaNのc軸配向性、表面平坦性、CL発光特性が向上することを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-16
著者
-
北村 健
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
間宮 恒
立命館大学理工学部
-
丸山 隆浩
立命館大学理工学部
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