窒素・水素混合プラズマを用いたGaN ECR-MBE成長 : 気相成長IV
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概要
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We have studied ECR-MBE growth of GaN using nitrogen-hydrogen mixed gas plasma as a group-V source. In highly Ga-rich growth condition, GaN growth rate was drastically increased using nitrogen-hydrogen mixed gas plasma. We consider that the effective V/III ratio is increased by addition of the hydrogen into nitrogen plasma and reactive excited group-V species are generated by nitrogen-hydrogen mixed gas plasma.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
小林 靖英
立命館大学理工学部
-
千葉 恭男
立命館大学理工学部
-
野畑 真純
立命館大学理工学部
-
西岡 義人
立命館大学理工学部
-
千葉 恭男
立命館大学理工学部光工学科
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