ECR-MBE法を用いた(001)ルチル型TiO_2基板上立方晶GaN成長 : エピキタシャル成長II
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概要
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TiO_2 has the advantage of low lattice mismatch of just about 2 % with Gubic GaN. We studied cubic GaN grouth on a (001) rutile TiO_2 substrate by ECR-MBE. For the first time, oriented cubic GaN polytype was obtained on the substrate by optimizing growth temperature. Growth orientation of the cubic GaN was found to be <110>.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
北村 健
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
間宮 恒
立命館大学理工学部
-
丸山 隆浩
立命館大学理工学部
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