01aB04 MBE法による窒化β-Ga_2O_3基板上への六方晶GaN成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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β-Ga_2O_3 single crystal is a good candidate for GaN epitaxial growth due to transparency, electrical conductivity and high melting point. Previously, we succeeded epitaxial growth of cubic GaN on (100) β-Ga_2O_3 by RF-MBE through prior exposure of the substrate to ECR nitrogen plasma to form a surficial nitridated (001) cubic GaN layer. In this paper, we report on the MBE growth of hexagonal GaN films on the nitridated β-Ga_2O_3 substrates by ECR nitrogen plasma.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
大平 重男
日本軽金属(株)
-
南 礼史
立命館大学
-
高橋 功次
立命館大学
-
鈴木 悟仁
日本軽金属(株)
-
名西 博之
立命館大学理工学部
-
名西 之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部電子光情報工学科
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