RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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InN成長のための新しいRF-MBE(radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy)成長方法としてDERI(droplet elimination by radical-beam irradiation)法を提案する。本手法は、(1)ドロップレット形成プロセス、及び、(2)ドロップレット除去プロセスの2つのプロセスにより構成される。ドロップレット形成プロセスにおいて、InドロップレットはInリッチ条件下でのInN成長、もしくは、In照射により形成される。このドロップレットは、Nラジカル照射によるドロップレット除去プロセスにより除去されInNに変換形成される。この手法は、RHEEDによる回折パターン強度その場観察によりモニタリングできるため、高品質InN膜を簡便に再現性よく成長できる。このDERI法をInGaN成長に応用すると、InGaN中にGaが優先的に取り込まれるため、InはInGaN表面上にはき出され、このInはドロップレット除去プロセスによりInNに形成されることになる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-12
著者
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
名西 [ヤス]之
立命館大学理工学部
-
名西 博之
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
-
名西 之
立命館大学理工学部
-
山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
-
名西 [ヤス]之
立命館大学
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