InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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RF-MBE法によりさまざまな品質のInN試料を作製し, それらの試料を詳細に評価することにより, InNの真のバンドギャップエネルギーについて議論した.評価の結果, PLピークエネルギーが0.67eV(室温)と最も小さい試料は, 電子移動度が最も高く, 残留キャリア濃度が最も低く, PL強度が最も強く, またPLおよび(0002)XRCの半値幅が最も小さいことがわかった.PLピークエネルギーの残留キャリア濃度依存性は, Burstein-Mossシフトによりほとんど説明できることがわかった.PLピークエネルギーは, 測定温度が高くなるほど小さくなり, 他の直接遷移型半導体と同様の温度依存性を示した.これらの実験結果から, これらのPL発光は, バンド間遷移に基づくものであり, 結晶欠陥によるバンドギャップ中の準位を介した遷移によるものではないことがわかる.また, 今回得られた実験結果から総合的に判断して, InNのバンドギャップエネルギーは, 室温で, 0.67eV以下であり, おそらく0.65eV付近にあるものと考えられる.高InNモル分率In_xGa_<1-x>NのPLピークエネルギーおよび吸収端のInNモル分率依存性も, この結論を支持するものであった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-20
著者
-
直井 弘之
立命館大学coe推進機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
名西 惠之
立命館大学
-
黒内 正仁
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
-
山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
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