黒内 正仁 | 立命館大学理工学部
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概要
関連著者
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黒内 正仁
立命館大学理工学部
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荒木 努
立命館大学理工学部
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直井 弘之
立命館大学coe推進機構
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荒木 努
立命館大学 理工学部
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名西 惠之
立命館大学
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名西 〓之
立命館大学理工学部
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山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
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名西 之
立命館大学理工学部
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山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
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武藤 大祐
立命館大学理工学部
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羅 〓石
立命館大学coe推進機構
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高堂 真也
立命館大学理工学部
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鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
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北川 幸雄
立命館大学理工学部
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鈴木 彰
(株)ダイフク
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山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
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名西 〓之
立命館大学 理工学部
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名西 〓之
立命館大学
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齋藤 義樹
立命館大学理工学部
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森岡 千晴
立命館大学理工学部
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斎藤 義樹
立命館大学理工学部
著作論文
- 26aB06 RF-MBE法による高In組成InGaN成長におけるInNテンプレートの効果(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- 高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現(窒化物半導体結晶)
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法による高InNモル分率InGaNの成長とその構造および発光特性の評価
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InNの光学的特性の結晶品質依存性 : InNの真のバンドギャップエネルギーに関する考察
- InNテンプレートを用いた高In組成InGaNの作成と評価
- RF-MBEによる高In組成InGaNの結晶成長とその評価