名西 〓之 | 立命館大学 理工学部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
斎藤 義樹
立命館大学理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
名西 之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部電子光情報工学科
-
齋藤 義樹
立命館大学理工学部
-
寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
-
名西 博之
立命館大学理工学部
-
直井 弘之
立命館大学coe推進機構
-
北村 健
立命館大学理工学部
-
堀 正輝
立命館大学理工学部
-
寺口 信明
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
鈴木 彰
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
加野 賢二
立命館大学理工学部
-
間宮 恒
立命館大学理工学部
-
小坂 賢一
立命館大学 理工学部
-
藤嶌 辰也
立命館大学 理工学部
-
井上 薫
新機能素子研究開発協会
-
檜木 啓宏
立命館大学 理工学部
-
山田 朋幸
新機能素子研究開発協会
-
土屋 忠厳
新機能素子研究開発協会
-
城川 潤二郎
新機能素子研究開発協会
-
神谷 慎一
新機能素子研究開発協会
-
土屋 忠厳
(財)新機能素子研究開発協会
-
千葉 恭男
立命館大学理工学部
-
丸山 隆浩
立命館大学理工学部
-
千葉 恭男
立命館大学理工学部光工学科
-
森岡 千晴
立命館大学理工学部
-
荒木 務
立命館大学理工学部光工学科
-
山口 泰平
立命館大学理工学部
-
黒内 正仁
立命館大学理工学部
-
川島 圭介
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
シャープ(株)中央研究所
-
石井 隆生
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
宮澤 信太郎
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
岡田 誠
立命館大学
-
西岡 義人
立命館大学理工学部
-
村田 直也
立命館大学理工学部
-
檜垣 幸弘
立命館大学
-
柳 隆之
立命館大学
-
金澤 紘之
立命館大学理工学部光工学科
-
寺口 信明
シャープ(株)技術本部基盤技術研究所
-
冨成 達也
立命館大学理工学部光工学科
-
清水 有威
立命館大学大学院理工学研究科
-
栃下 光
村田製作所
-
宮澤 信太郎
早大
-
上野 朝隆
立命館大学理工学部
-
清水 有威
立命館大学理工学部
-
栃下 光
立命館大学大学院理工学研究科
-
山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
-
門田 道雄
(株)村田製作所
-
門田 道雄
村田製作所
-
水尾 和洋
立命館大学理工学部
-
大平 重男
日本軽金属(株)
-
小林 靖英
立命館大学理工学部
-
野畑 真純
立命館大学理工学部
-
南 礼史
立命館大学
-
高橋 功次
立命館大学
-
鈴木 悟仁
日本軽金属(株)
-
山下 直樹
立命館大学理工学部
-
寺口 信明
シャープ (株) 技術本部 基盤技術研究所
-
鈴木 彰
シャープ (株) 技術本部 基盤技術研究所
-
十二 紀行
立命館大学理工学部
-
木島 雅史
立命館大学理工学部
-
北東 慎吾
立命館大学大学院理工学研究科
-
篠田 明典
(株)村田製作所
-
上西 紀行
立命館大学理工学部
-
村松 智
立命館大学理工学部
-
世古 明義
立命館大学理工学部
-
山田 良
立命館大学理工学部
-
宮嶋 孝夫
ソニー コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
-
宮嶋 孝夫
ソニー
-
植田 紗依子
立命館大学
-
松田 文絵
立命館大学
-
矢部 督
立命館大学理工学部
-
北東 慎吾
立命館大学理工
著作論文
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析
- 26aB06 RF-MBE法による高In組成InGaN成長におけるInNテンプレートの効果(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- 高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現(窒化物半導体結晶)
- RF-MBE法を用いたSi(100)基板上におけるInNの結晶成長(窒化物半導体結晶)
- 窒化物半導体の新展開(紫外発光材料の現状と将来)
- 窒化物半導体の新展開 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- RF-MBE成長したInN/(0001)Sapphireの極微構造観察 : エピキタシャル成長II
- RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_Nの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒素・水素混合プラズマを用いたGaN ECR-MBE成長 : 気相成長IV
- InNおよびInGaNの結晶成長と構造および特性の評価"
- ECR-MBE法によるLiGaO_2基板上GaNの表面形態の評価
- ECR-MBE法によるLGO(LiGaO_2)基板上GaN成長初期過程の検討
- ECR-MBE法を用いた(001)ルチル型TiO_2基板上立方晶GaN成長 : エピキタシャル成長II
- ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 01aB04 MBE法による窒化β-Ga_2O_3基板上への六方晶GaN成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBEによるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
- RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
- ECR-MBE法を用いたパターニング基板上多結晶GaN成長の検討 : エピキタシャル成長II
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 水素・窒素混合プラズマを用いたECR-MBE成長GaN薄膜の構造評価 : エピタキシャル成長I
- サファイア上にECR-MBE成長したGaN結晶の構造制御の検討
- GaN ECR-MBE成長のプラズマ発光分光分析による観察
- SiC基板上GaNのエッチングによる転位密度評価 : エピキタシャル成長IV
- RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
- RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
- MBE成長InN薄膜の透過電子顕微鏡観察(窒化物半導体結晶)
- 26aB07 ECR-MBE法による石英ガラス基板上多結晶InN成長(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- ECR-MBE法による石英ガラス基板上のGaNの成長と発光特性 : 気相成長IV
- ECR-MBE法による多結晶ZnO基板上のGaN結晶成長と構造評価 : 気相成長IV