齋藤 義樹 | 立命館大学理工学部

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概要

• 同名の論文著者
• 立命館大学理工学部の論文著者

関連著者

• 山口 智広

  立命館大学総合理工学研究機構

• 齋藤 義樹

  立命館大学理工学部

• 山口 智広

  立命館大学r-giro推進機構

• 荒木 努

  立命館大学 理工学部

• 名西 〓之

  立命館大学 理工学部

• 名西 〓之

  立命館大学

• 斎藤 義樹

  立命館大学理工学部

• 荒木 努

  立命館大学理工学部

• 鈴木 彰

  立命館大学 総合理工学研究機構

• 鈴木 彰

  (株)ダイフク

• 堀 正輝

  立命館大学理工学部

• 寺口 信明

  シャープ基盤技術研究所

• 寺口 信明

  シャープ株式会社基盤技術研究所

• 鈴木 彰

  シャープ株式会社基盤技術研究所

• 加野 賢二

  立命館大学理工学部

• 荒木 務

  立命館大学理工学部光工学科

• 黒内 正仁

  立命館大学理工学部

• 森岡 千晴

  立命館大学理工学部

• 名西 やすし

  立命館大学理工学部

• 鈴木 彰

  シャープ基盤技術研究所

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著作論文

• 高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現(窒化物半導体結晶)
• RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_Nの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
• RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• サファイア基板上InN成長での回転ドメインの存在 : エピキタシャル成長II
• RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性

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