サファイア基板上InN成長での回転ドメインの存在 : エピキタシャル成長II
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概要
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InN films grown on (0001) sapphire substrate tend to have metastable rotation domains within c-plane due to the latticemismatchbetweenltiNandsapphireandduetothesubstratestructure. Initial growth processes of substrate nitridation and buffer layer deposition are useful and effective way to control the rotation domains.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
齋藤 義樹
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
-
名西 やすし
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
シャープ基盤技術研究所
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
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