高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現(窒化物半導体結晶)
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概要
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For InN growth on sapphire substrate, substrate nitridation and a low-temperature InN-buffer-layer deposition prior to growth have been very important to obtain high-quality InN films. Higher-quality InN films were successfully realized by an insertion of high-temperature InN buffer layers prior to the low-temperature InN-buffer-layer deposition.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
黒内 正仁
立命館大学理工学部
-
齋藤 義樹
立命館大学理工学部
-
森岡 千晴
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
斎藤 義樹
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
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