RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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今回、LiAlO_2(100)基上に無極性M面InNの結晶成長に成功したので報告する。RF-MBE法を用いて、LiAlO_2(100)基板上に直接InNをエピタキシャル成長させた。成長温度およびV/III比を変化させて成長を行ったところ、成長温度450℃かつ僅かにIn-rich条件下においてM面InNの結晶成長に成功した。しかし、成長温度が低くなるにつれてC面InNが混在しやすく、また成長温度450℃においてもN-rich条件ではC面InNの混在が確認された。このように、LiAlO_2(100)基板上にM面InNを作製するために、成長温度450℃かつ僅かにIn-rich条件に制御することが重要であることがわかった。このようにして得られたLiAlO_2(100)基板上M面InNの透過型電子顕微鏡(TEM)による極微構造評価も行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-20
著者
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
名西 [ヤス]之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
高木 悠介
立命館大学理工学部
-
野沢 浩一
立命館大学理工学部
-
名西 博之
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
-
名西 之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部電子光情報工学科
-
山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
-
名西 [ヤス]之
立命館大学
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